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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
S5D-M3/9AT	0.1549	RFQ	2187	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S5d	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.15 v @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
GDZ27B-G3-08	0.0445	RFQ	2543	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ27		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 21 V				27 V	150 ohmios
VS -10CNQ045AMSPBF	-	RFQ	2656	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	D-61-8-SM	110CNQ045	Schottky		D-61-8-SM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS110CNQ045AMSPBF	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	110A	700 MV @ 110 A		3 Ma @ 45 V	150 ° C (Máximo)
25CTQ035	-	RFQ	1979	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	25ctq	Schottky		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V30K170HM3/H	2.7000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												170 V		1.04 v @ 30 a		150 µA @ 170 V	-40 ° C ~ 165 ° C	3.4a	1250pf @ 4V, 1MHz
VS-16TTS08FP-M3	2.5966	RFQ	8199	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	16TTS08			Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS16TTS08FPM3	EAR99	8541.30.0080	1,000		150 Ma	800 V	16 A	2 V	170A @ 50Hz	60 Ma	1.4 V	10 A	10 Ma	Recuperación
Fesf8jthe3_a/p	0.9405	RFQ	3545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF8	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-73-4378	-	RFQ	5976	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto									-				112-VS-73-4378	Obsoleto		1
BYVF32-200-E3/45	1.7300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	BYVF32	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5243C-G3-18	-	RFQ	9395	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5243		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
VS-ST180S08M1V	-	RFQ	1298	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST180			TO-209AB (TO-93)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST180S08M1V	EAR99	8541.30.0080	12		600 mA	800 V	314 A	3 V	5000A, 5230A	150 Ma	1.75 V	200 A	30 Ma	Recuperación
SE07PD-E3/84A	-	RFQ	7960	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SE07	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.05 V @ 700 Ma		5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	700mA	5PF @ 4V, 1MHz
40ctq045Strr	-	RFQ	7246	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	40ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	530 MV @ 20 A		3 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BYM07-400HE3/98	-	RFQ	1264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BYM07	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-1EFH01-M3/I	0.4700	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	1EFH01	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		930 MV @ 1 A	16 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
GI812-E3/54	-	RFQ	1759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI812	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SML4742-E3/61	0.4700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4742		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																	5 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
30ctq060s	-	RFQ	8084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	15A	620 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-E5TH3012-M3	2.0600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	E5TH3012	Estándar		TO20AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5TH3012-M3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		2.5 V @ 30 A	58 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-20MQ100HM3/5AT	0.0950	RFQ	3812	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	20MQ100	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		910 MV @ 2 A		100 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	38pf @ 10V, 1 MHz
VS-12TQ045Strl-M3	0.6664	RFQ	1468	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
185NQ015	-	RFQ	4009	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	185NQ015	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												15 V		400 MV @ 180 A		60 mA @ 15 V		180A	12300pf @ 5V, 1MHz
V8pm15hm3/h	0.6100	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8PM15	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.08 v @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8A	460pf @ 4V, 1MHz
VS-ST083S12PFK1P	87.7504	RFQ	4466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	ST083			TO-209AC (TO-94)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST083S12PFK1P	EAR99	8541.30.0080	25		600 mA	1.2 kV	135 A	3 V	2060a, 2160a	200 MA	2.15 V	85 A	30 Ma	Recuperación
VS-SD600N20PC	172.4200	RFQ	7648	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD600	Estándar		B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2000 V		1.31 V @ 1500 A		35 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 180 ° C	600A	-
VLZ7V5A-GS18	-	RFQ	8206	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ7V5		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V				7.04 V	8 ohmios
TZM5246C-GS08	-	RFQ	8610	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5246		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500															1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
BZT55B75-GS18	0.0433	RFQ	8825	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B75		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 56 V				75 V	250 ohmios
PLZ22B-G3/H	0.3100	RFQ	9909	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ22		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500															900 MV @ 10 Ma		200 na @ 17 V				22 V	30 ohmios
MBRB25H45CThe3/45	-	RFQ	7149	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	640 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C