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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-61CTQ045-N3	-	RFQ	4917	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	61CTQ045	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS61CTQ045N3	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	30A	760 MV @ 60 A		1 ma @ 45 V	175 ° C (Máximo)
VS-15ETH03PBF	-	RFQ	9944	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	15eth03	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 V @ 15 A	40 ns	40 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-STPS40L45CW-N3	3.4200	RFQ	4700	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	STPS40	Schottky			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-STPS40L45CW-N3GI	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	530 MV @ 20 A		1.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SML4740HE3_A/H	0.1658	RFQ	3603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4740		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																	10 µA @ 7.6 V							10 V	7 ohmios
VS-40TTS12PBF	-	RFQ	7939	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic		-40 ° C ~ 140 ° C	A Través del Aguetero	Un 220-3	40TTS12				Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS40TTS12PBF	EAR99	8541.30.0080	50		100 mA	1.2 kV	40 A	1.3 V	300A @ 50Hz	35 Ma	1.6 V	25 A	500 µA	Recuperación
VS-VSKL162/14PBF	77.5320	RFQ	9019	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Int-a-pak (3 + 4)	VSKL162			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKL16214PBF	EAR99	8541.30.0080	15		200 MA	1.4 kV	355 A	2.5 V	4870a, 5100a	150 Ma		160 A												1 scr, 1 diodo
BZD27C27P-E3-08	0.4100	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C27		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20 V							27 V	15 ohmios
MMSZ4706-HE3_A-18	0.0533	RFQ	2956	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW		SOD-123	descascar				112-MMSZ4706-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 14.4 V							19 V
FESF16BT-E3/45	1.1055	RFQ	9766	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF16	Estándar			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
1N4002-E3/73	0.2400	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKL41/06	38.3640	RFQ	3570	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKL41			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKL4106	EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	600 V	100 A	2.5 V	850a, 890a	150 Ma		45 A												1 scr, 1 diodo
VS-T70HF40	29.7800	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T70	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V				15 Ma @ 400 V		70a	-
VS-MBRB2045CTTRLP	-	RFQ	5185	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSMBRB2045CTTRLP	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	10A	570 MV @ 10 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-52MT80KPBF	105.4033	RFQ	7349	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo mt-k	52MT80	Estándar			MT-K	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS52MT80KPBF	EAR99	8541.10.0080	15																			55 A			Fase triple	800 V
GLL4746A-E3/97	0.3168	RFQ	4315	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4746		1 W		Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																	5 µA @ 13.7 V							18 V	20 ohmios
VS-30TPS12PBF	-	RFQ	8850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	TO-247-3	30TPS12				To47ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25		100 mA	1.2 kV	30 A	2 V	300A @ 50Hz	45 Ma	1.3 V	20 A	500 µA	Recuperación
10etf10s	-	RFQ	6188	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf10	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*10etf10s	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.33 v @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
V10K120CHM3/I	0.3557	RFQ	4078	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10K120CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	3.6a	810 MV @ 5 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
48CTQ060S	-	RFQ	5409	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	48CTQ	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GI250-4-E3/54	0.5300	RFQ	8239	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GI250	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												4000 V		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
RGP30BHE3/54	-	RFQ	6393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-T50RIA60S90	33.6980	RFQ	1799	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	D-55	T50			Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VST50RIA60S90	EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	600 V	80 A	2.5 V	1310a, 1370a	100 mA		50 A												1 SCR
VS-T70RIA20	31.3400	RFQ	1915	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T70			Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	200 V	110 A	2.5 V	1660a, 1740a	120 Ma		70 A												1 SCR
VS-VSKD196/12PBF	66.6933	RFQ	4025	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKD196	Estándar			Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskd19612pbf	EAR99	8541.10.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	1200 V	97.5a			20 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
EGL41F-E3/96	0.1502	RFQ	4333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	14PF @ 4V, 1MHz
BZT03C91-TAP	0.2640	RFQ	2739	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 6.04%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C91		1.3 W		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 68 V							91 V	200 ohmios
VS-15EWX06FNTRL-M3	0.6181	RFQ	9922	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15EWX06	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS15EWX06FNTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.05 v @ 15 a	220 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
S1PDHM3/84A	0.0872	RFQ	8394	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	S1P	Estándar			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1 MHz
MBRF20H150CT1E3/45	-	RFQ	8341	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF20	Schottky			ITO-220AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	10A	990 MV @ 20 A		5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N4762A-T	-	RFQ	8262	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4762		1.3 W		Do-41	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	5,000															1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V							82 V	3000 ohmios