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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | SB160-E3/51 | - | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB160 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VF30100S-M3/4W | 0.7118 | ![]() | 7242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VF30100 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 910 MV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50ria60m | 30.7454 | ![]() | 9734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AC, TO-65-3, comienza | 50ria60 | TO-208AC (TO-65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS50RIA60M | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 200 MA | 600 V | 80 A | 2.5 V | 1200A, 1255A | 100 mA | 1.6 V | 50 A | 15 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | VS-C4PU3006L-N3 | 2.1500 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | C4PU3006 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 15 A | 60 ns | 15 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||
AZ23C36-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C36 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
VS-VSKN91/06 | 42.6330 | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKN91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKN9106 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 600 V | 210 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
GI1403HE3/45 | - | ![]() | 7047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | GI1403 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST083S04PFN1P | 80.2856 | ![]() | 9382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | ST083 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST083S04PFN1P | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 mA | 400 V | 135 A | 3 V | 2060a, 2160a | 200 MA | 2.15 V | 85 A | 30 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | VS-ST300C18C1L | 162.0792 | ![]() | 2097 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | TO-200AB, E-PUK | ST300 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST300C18C1L | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.8 kV | 1290 A | 3 V | 6730a, 7040a | 200 MA | 2.18 V | 650 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | VSSB420S-M3/5BT | 0.4400 | ![]() | 5092 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SB420 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.9 v @ 4 a | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.8a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1N2138A | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N2138 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 188 A | 10 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 60A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-80-7649 | - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-7649 | - | 112-VS-80-7649 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3jhe3/9at | - | ![]() | 2691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VBT2060G-E3/4W | 0.4335 | ![]() | 9151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT2060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 900 MV @ 10 A | 700 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKU91/04 | 44.0280 | ![]() | 6377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKU91 | Cátodo Común: Todos SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvsku9104 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 400 V | 150 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||
![]() | Irke91/04a | - | ![]() | 1939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (2) | Irke91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 10 Ma @ 400 V | 100A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EGL41CHE3/97 | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | EGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF760HE3/45 | - | ![]() | 6079 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 7.5 A | 500 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSC53L-M3/9AT | 0.2891 | ![]() | 6746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SSC53 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 5 A | 700 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-12TQ045StrrPBF | - | ![]() | 6511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VSKD320-08 | - | ![]() | 7253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKD320 | Estándar | Magn-A-Pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 800 V | 320A | 50 Ma @ 800 V | |||||||||||||||||||||||||
BZX84C75-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C75 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
DZ23C24-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S2B-E3/5BT | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2B | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 V @ 1.5 A | 2 µs | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS8P3C-M3/86A | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 4A | 580 MV @ 4 A | 300 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | Z4KE200HE3/73 | - | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke200 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 144 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkl56/12a | - | ![]() | 2658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl56 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 135 A | 2.5 V | 1310a, 1370a | 150 Ma | 60 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA32PA120C-N3 | 10.0040 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | HFA32 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA32PA120CN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 16A | 3 V @ 16 A | 30 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4937GPEHE3/54 | - | ![]() | 7874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4937 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 43ctq100Strr | - | ![]() | 2198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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