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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBR7H35-E3/45	-	RFQ	7508	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR7	Schottky			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												35 V		630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5a	-
1N5255B-T	-	RFQ	3382	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5255		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000																1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V							28 V	600 ohmios
VS-15CTQ045Strl-M3	0.6646	RFQ	9993	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15CTQ045	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKN105/08	42.6330	RFQ	9597	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKN105			Ánodo Común - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKN10508	EAR99	8541.30.0080	10			250 Ma	800 V	235 A	2.5 V	2000a, 2094a	150 Ma		105 A												1 scr, 1 diodo
MMBZ4683-E3-08	-	RFQ	4736	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4683		350 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		800 na @ 1 V							3 V
VS-VSKD56/06	36.5930	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD5606	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	30A			10 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MPG06M-E3/54	0.4400	RFQ	6301	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
SS10P5HM3_A/H	0.9600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10P5	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		670 MV @ 7 A		150 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	7A	560pf @ 4V, 1MHz
BZG03C270-HM3-08	0.5200	RFQ	1533	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 7.04%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C270		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 200 V							270 V	1000 ohmios
SE10DTGHM3/I	1.2700	RFQ	297	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete		Estándar			SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.15 V @ 10 A	3 µs	15 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.9a	67pf @ 4V, 1MHz
BZW03D130-TAP	-	RFQ	2681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500																1.2 v @ 1 a		2 µA @ 100 V							130 V	190 ohmios
VS-ST173S12PFP0	156.8408	RFQ	6589	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST173				TO-209AB (TO-93)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	275 A	3 V	4680a, 4900a	200 MA	2.07 V	175 A	40 Ma	Recuperación
Ss14he3_a/i	-	RFQ	1893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
VS-6FLR10S02	5.0972	RFQ	2908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR10	Polaridad Inversa Estándar			DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
AZ23C39-HE3-08	0.0436	RFQ	5621	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C39		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 29 V							39 V	90 ohmios
GBPC2510/1	-	RFQ	6408	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC2510	Estándar			GBPC	-	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1000 V		25 A			Fase única	1 kV
VLZ5V6-GS18	-	RFQ	4058	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ5V6		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma									5.6 V	13 ohmios
PLZ4V3B-HG3_A/H	0.3600	RFQ	50	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, PLZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3.02%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ4V3		960 MW		DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500																900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V							4.3 V	40 ohmios
V10km45chm3/i	0.3703	RFQ	5549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V10km45Chm3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	5A	600 MV @ 5 A		150 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
UG4A-M3/54	0.2307	RFQ	2154	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	UG4	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		950 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	20pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C62-HE3-18	0.0378	RFQ	1116	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C62		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																									62 V	150 ohmios
VBT2045BP-M3/8W	0.7145	RFQ	3172	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2045	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		660 MV @ 20 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MBRB10H60HE3/81	-	RFQ	1840	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		710 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
ZMY43-GS18	0.4200	RFQ	5991	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZMY43		1 W		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		500 na @ 32 V							43 V	80 ohmios
Ssb44he3_a/i	0.4800	RFQ	34	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB44	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		490 MV @ 4 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
Byt56m-tap	1.1500	RFQ	477	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	Byt56	Avalancha			Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.4 v @ 3 a	100 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
TZM5240B-GS08	0.2300	RFQ	33	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5240		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 8 V							10 V	17 ohmios
VS-ST173C10CFP1	81.0217	RFQ	4881	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST173				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST173C10CFP1	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1 kV	610 A	3 V	3940a, 4120a	200 MA	2.07 V	330 A	40 Ma	Recuperación
VS-ST180S12P0V	109.0108	RFQ	6317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST180				TO-209AB (TO-93)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	314 A	3 V	5000A, 5230A	150 Ma	1.75 V	200 A	30 Ma	Recuperación
VS-ST230S12P1V	147.2467	RFQ	3087	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST230				TO-209AB (TO-93)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST230S12P1V	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	360 A	3 V	4800A, 5000A	150 Ma	1.55 V	230 A	30 Ma	Recuperación