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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V15km150chm3/h	0.4737	RFQ	8219	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KM150CHM3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	3.7a	1.08 V @ 7.5 A		300 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VB20202G-M3/8W	1.8400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20202	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	10A	920 MV @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-42CTQ030STRLHM3	1.4649	RFQ	6903	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	42CTQ030	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	20A	480 MV @ 20 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
ZMM5225B-13	-	RFQ	5167	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	ZMM52		500 MW		Mini Melf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		ZMM5225B-13GI	EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V					3 V	29 ohmios
VS-P402KW	47.9320	RFQ	5015	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	8 ritmo-pak	P402			Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1)		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			130 Ma	600 V		2 V	385a, 400a	60 Ma														2 scr, 2 diodos
DZ23C10-G3-08	0.0483	RFQ	5095	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 7.5 V					10 V	15 ohmios
HFA200MD40C	-	RFQ	9154	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	HFA200	Estándar			TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	400 V	172a (DC)	1.2 V @ 100 A	120 ns	12 µA @ 400 V
ES2G-M3/52T	0.4600	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2G	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
V10PWM60-M3/I	0.3036	RFQ	5355	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky			Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10PWM60-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		610 MV @ 10 A		400 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	1580pf @ 4V, 1MHz
BAV23C-G3-18	0.0539	RFQ	2732	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BAV23C-G	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV23	Estándar			Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	200MA (DC)	1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 200 V	150 ° C (Máximo)
VS-S1394	-	RFQ	5907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto										-				112-VS-S1394	Obsoleto		1
VS-ST730C16L1	150.2467	RFQ	3977	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	A 200ac, B-PUK	ST730				A 200ac, B-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST730C16L1	EAR99	8541.30.0080	3			600 mA	1.6 kV	2000 A	3 V	15000A, 15700A	200 MA	1.62 V	990 A	80 Ma	Recuperación
MMBZ5254C-HE3-08	-	RFQ	9326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5254		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 21 V					27 V	41 ohmios
BZG05C16-HE3-TR	-	RFQ	2566	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 12 V					16 V	15 ohmios
BZT52B5V1-E3-08	0.3100	RFQ	121	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B5V1		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		100 na @ 800 MV					5.1 V	30 ohmios
BZT52B2V4-HE3-08	0.0454	RFQ	4488	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B2V4		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																							2.4 V	85 ohmios
V20DM150CHM3/I	1.4500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V20DM150	Schottky			TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.24 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-C20CP07L-M3	-	RFQ	7083	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	C20CP07	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			TO20AC	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	751-VS-C20CP07L-M3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												650 V		1.8 V @ 10 A		55 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	430pf @ 1V, 1 MHz
VS-S934	-	RFQ	5768	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S934					-				112-VS-S934			1
123NQ100R	-	RFQ	2402	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	123NQ100	Schottky			D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*123NQ100R	EAR99	8541.10.0080	20		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		910 MV @ 120 A		3 Ma @ 100 V		120a	2650pf @ 5V, 1MHz
VS-HFA15TB60SPBF	-	RFQ	3707	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA15	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	-
BZX84B10-G3-18	0.0389	RFQ	3357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B10		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		200 na @ 7 V					10 V	20 ohmios
GP10G-5022M3/54	-	RFQ	5130	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BYM10-200-E3/96	0.4100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym10	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-3EJH02-M3/6B	0.5000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	3EJH02	Estándar			DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		930 MV @ 3 A	30 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-20ETF12THM3	2.9000	RFQ	1113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	20etf12	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.31 v @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMBZ5237C-HE3-08	-	RFQ	6828	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5237		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		3 µA @ 6.5 V					8.2 V	8 ohmios
SML4731A-E3/61	-	RFQ	5798	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4731		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		10 µA @ 1 V					4.3 V	9 ohmios
RMPG06JHE3_A/53	0.1792	RFQ	9348	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
GP10A-M3/73	-	RFQ	4157	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz