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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-1N1184	6.9600	RFQ	1517	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1184	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.7 V @ 110 A		10 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
VS-SD1100C20L	109.6267	RFQ	5840	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD1100	Estándar			B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2000 V		1.31 V @ 1500 A		15 Ma @ 2000 V		1170A	-
G3SBA60-M3/45	0.8910	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	G3SBA60	Estándar			Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800																1 v @ 2 a		5 µA @ 600 V		2.3 A			Fase única	600 V
RGL41DHE3/97	-	RFQ	7195	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Rgl41dhe3_a/i	EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
MBRB1550CThe3/45	-	RFQ	9737	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	7.5a	750 MV @ 7.5 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VLZ30D-GS18	-	RFQ	7279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ30		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 27.6 V							29.77 V	55 ohmios
VS-10BQ060PBF	-	RFQ	5925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	10BQ060	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		600 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N5395GPHE3/54	-	RFQ	9619	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5395	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.4 V @ 1.5 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	15pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3789AHE3/5B	-	RFQ	3410	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W		DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		50 µA @ 7.6 V							10 V	5 ohmios
Au3pj-m3/87a	0.4455	RFQ	7393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au3	Avalancha			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.9 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.7a	72pf @ 4V, 1MHz
FESF16DT-E3/45	2.1000	RFQ	5724	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF16	Estándar			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
DZ23C22-E3-18	0.0415	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 17 V							22 V	55 ohmios
GDZ27B-G3-08	0.0445	RFQ	2543	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ27		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 21 V							27 V	150 ohmios
T85HFL40S05	-	RFQ	9802	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T85	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*T85HFL40S05	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V			500 ns	20 Ma @ 400 V		85a	-
BYV32-200-E3/45	1.7400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	BYV32	Estándar			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SSA34HE3_A/I	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		490 MV @ 3 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SML4749AHE3/61	-	RFQ	9496	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4749		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		5 µA @ 18.2 V							24 V	25 ohmios
PTV10B-E3/84A	-	RFQ	7231	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	Ptv10		600 MW		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 7 V							10.6 V	6 ohmios
S2K/1	-	RFQ	1984	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S2K	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	16PF @ 4V, 1MHz
SS34-E3/57T	0.6000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BY252P-E3/54	0.4700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY252	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
Fepf6bthe3/45	-	RFQ	1555	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Fepf6	Estándar			ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-30TPS12PBF	-	RFQ	8850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	TO-247-3	30TPS12				To47ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25			100 mA	1.2 kV	30 A	2 V	300A @ 50Hz	45 Ma	1.3 V	20 A	500 µA	Recuperación
VS-VSKH500-16PBF	600.9600	RFQ	5182	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	Monte del Chasis	3-SUPERMAGN-A-PAK ™	VSKH500			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH50016PBF	EAR99	8541.30.0080	1			500 mA	1.6 kV	785 A	3 V	17800A, 18700A	200 MA		500 A												1 scr, 1 diodo
GL41D-E3/97	0.1246	RFQ	4523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
AS3PK-M3/86A	0.3036	RFQ	4403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS3	Avalancha			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		920 MV @ 1.5 A	1.2 µs	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB20100CTR-M3	0.8559	RFQ	4303	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20100	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-ST230S12P0V	147.2467	RFQ	8475	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST230				TO-209AB (TO-93)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	360 A	3 V	5700a, 5970a	150 Ma	1.55 V	230 A	30 Ma	Recuperación
VS-50TPS12L-M3	4.0800	RFQ	238	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	TO-247-3	50TPS12				To-247l	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25			300 mA	1.2 kV	79 A	1.5 V	530A @ 100Hz	100 mA	1.32 V	50 A	50 µA	Recuperación
GL34J/1	-	RFQ	3277	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar			DO-213AA (GL34)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz