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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BA682-GS08 | - |  | 6821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BA682 | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | 100 mA | 1.25pf @ 3V, 100MHz | PIN - Single | 35V | 500mohm @ 10 Ma, 200MHz | ||||||||||||||
 | BA682-M-08 | - | | 9437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BA682 | Sod-80 mínimo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | BA783-HG3-08 | - | | 4981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SOD-123 | BA783 | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 1.2pf @ 3V, 1MHz | PIN - Single | 35V | 1.2ohm @ 3mA, 1 GHz | ||||||||||||||
 | BAV21WS-G3-08 | 0.3100 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
 | BZD17C5V1P-E3-08 | 0.1341 | | 3661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C5V1 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | |||||||||||||
 | MMBZ4712-E3-18 | - | | 3917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4712 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 na @ 21.2 V | 28 V | ||||||||||||||
| MMSZ4682-E3-18 | 0.0360 | | 7769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 1 V | 2.7 V | ||||||||||||||
 | MBL104S-M3/I | - | | 3612 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | MBL1 | Estándar | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 950 MV @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| MMBZ4681-E3-08 | - | | 1942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4681 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 1 V | 2.4 V | ||||||||||||||
| BA779-2-HG3-18 | - | | 4586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BA779 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V, 100MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 30V | 50ohm @ 1.5mA, 100MHz | ||||||||||||||
| BA782-G3-18 | - | | 5554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SOD-123 | BA782 | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 mA | 1.25pf @ 3V, 1MHz | PIN - Single | 35V | 700mohm @ 3mA, 1 GHz | ||||||||||||||
| BA783-G3-18 | - | | 2598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SOD-123 | BA783 | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 mA | 1.2pf @ 3V, 1MHz | PIN - Single | 35V | 1.2ohm @ 3mA, 1 GHz | ||||||||||||||
 | Smaz5937b-m3/5a | 0.1063 | | 3353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5937 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | ||||||||||||
 | 2KBP01M-M4/51 | - | | 8920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 2KBP01 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
| 2KBP02M-M4/51 | - | | 4825 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 2KBP02 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| 2kbp10m-m4/51 | - | | 7355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 2kbp10 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| 3N246-M4/51 | - | | 5744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N246 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | 1.5 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| 3N248-M4/51 | - | | 4641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N248 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| 3N254-M4/51 | - | | 6193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N254 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
| 3N256-M4/51 | - | | 3646 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N256 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| 3N258-M4/51 | - | | 3165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N258 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
 | Bu1006-M3/51 | 1.3185 | | 9679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1006 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| Bu1008-M3/51 | 1.3185 | | 5503 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1008 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
| BU1010A-M3/51 | 1.2098 | | 9693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu1010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| Bu1206-m3/51 | 1.4002 | | 9111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1206 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 12 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| Bu1208-m3/51 | 1.4002 | | 4036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1208 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 12 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
| Bu1510-m3/51 | 1.4652 | | 2488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1510 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| Bu2010-m3/51 | 1.8076 | | 5975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu2010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 20 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
 | GBL02-M3/51 | 0.8804 | | 4088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL02 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| GBL06-M3/51 | 0.8804 | | 5673 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V |
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