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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBL06-E3/45 | 1.5800 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBLA01-E3/45 | 0.6630 | | 6975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA01 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 3 A | Fase única | 100 V | |
| GBLA04-E3/45 | 0.6630 | | 2932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA04 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 3 A | Fase única | 400 V | |
 | GSIB1520-E3/45 | 2.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1520 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 A | Fase única | 200 V | |
| GSIB1560-E3/45 | 2.6000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1560 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | |
| GSIB15A20-E3/45 | 1.4256 | | 4179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB15 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 A | Fase única | 200 V | |
| GSIB2020-E3/45 | 1.6949 | | 8041 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | Gsib2020 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 A | Fase única | 200 V | |
| GSIB640-E3/45 | 1.3068 | | 4829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB640 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 400 V | 2.8 A | Fase única | 400 V | |
| GSIB660-E3/45 | 2.4100 | | 2288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB660 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 600 V | 2.8 A | Fase única | 600 V | |
| GSIB6A60-E3/45 | - | | 1635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | Gsib6 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 2.8 A | Fase única | 600 V | |
 | MB6S-E3/45 | 0.5100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | MB6 | Estándar | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V | |
| VSIB10A80-E3/45 | - | | 7190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB10 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | |
| VSIB1540-E3/45 | - | | 1724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB15 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 3.5 A | Fase única | 400 V | |
| VSIB1580-E3/45 | - | | 9526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB15 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | |
| VSIB15A80-E3/45 | - | | 5332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB15 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | |
| VSIB2080-E3/45 | - | | 4434 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB2080 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | |
| VSIB2520-E3/45 | - | | 8093 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB2520 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 A | Fase única | 200 V | |
| VSIB440-E3/45 | - | | 3403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB44 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 MV @ 2 A | 10 µA @ 400 V | 2.3 A | Fase única | 400 V | |
| VSIB480-E3/45 | - | | 4974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB48 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 MV @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 2.3 A | Fase única | 800 V | |
| VSIB4A60-E3/45 | - | | 1740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB4A60 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| VSIB640-E3/45 | - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB64 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 400 V | 2.8 A | Fase única | 400 V | |
| VSIB6A60-E3/45 | - | | 4081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB6A | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 2.8 A | Fase única | 600 V | |
 | PB4006-E3/45 | 3.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, PB | PB4006 | Estándar | isocink+™ pb | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 600 V | 40 A | Fase única | 600 V | |
 | DF005MA-E3/45 | 0.2528 | | 9593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF005 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | |
 | DF02SA-E3/45 | 0.2751 | | 2956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF02 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |
| DF04M-E3/45 | 0.7800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF04 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | |
| DF08S-E3/45 | 0.8300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF08 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | |
| DF10M-E3/45 | 0.7800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF10 | Estándar | DFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |
| DF10SA-E3/45 | 0.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF10 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |
| DF1501S-E3/45 | 0.7800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF1501 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 1.5 A | Fase única | 100 V |
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