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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ar4pkhm3/87a | - |  | 4255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.9 v @ 4 a | 120 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
 | AS1PGHM3/85A | 0.3630 | | 5249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||
| AS1PG-M3/85A | 0.2393 | | 5236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||
| AS1PK-M3/84A | 0.2459 | | 3192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||
| AS3PJHM3/87A | - | | 7760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 920 MV @ 1.5 A | 1.2 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.1a | 37pf @ 4V, 1MHz | ||||||
| Au1pg-m3/84a | 0.4600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Au1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 11PF @ 4V, 1MHz | ||||||
| Au2pdhm3/87a | - | | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au2 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.9 v @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 42pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| Au2pmhm3/86a | - | | 4431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au2 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 2.5 v @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | 29pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| Au3pdhm3/87a | - | | 6727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.9 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 72pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| AR1PK-M3/85A | 0.1271 | | 7198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | ||||||
 | VS-20ETF12PBF | - | | 2882 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20etf12 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.3 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||
| VS-10ETF12PBF | - | | 1467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 10ETF12 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.33 v @ 10 a | 310 ns | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||
 | VS-40EPS08PBF | - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To-247-2 | 40eps08 | Estándar | To47ac modificado | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 40 A | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 40A | - | |||||||
 | Bu10065s-e3/45 | - | | 7371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | isocink+™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU10065 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 3.2 A | Fase única | 600 V | ||||||||
 | BU1008-E3/51 | 1.1466 | | 6575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1008 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 800 V | 3.2 A | Fase única | 800 V | ||||||||
 | Bu10105s-e3/45 | 1.7900 | | 247 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU10105 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 3.2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| Bu1010a-E3/45 | 1.4076 | | 3164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu1010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| Bu1010a-E3/51 | 2.3100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu1010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| BU1010-E3/45 | 1.4649 | | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Bu1010 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 3.2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| BU1210-E3/51 | 1.1466 | | 3196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1210 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 3.4 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
 | Bu20065s-e3/45 | - | | 1271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU20065 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||
| BU2006-E3/45 | 3.0400 | | 799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU2006 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||
| BU2008-E3/51 | 3.0400 | | 1794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU2008 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | ||||||||
 | BU20105S-E3/45 | - | | 5987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU20105 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 3.5 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| BU2506-E3/45 | 2.9900 | | 780 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU2506 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||
 | BU25105S-E3/45 | - | | 5776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU25105 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 3.5 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
| BU2510-E3/51 | 1.7540 | | 5199 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU2510 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 3.5 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
 | VS-100MT160PAPBF | 40.3100 | | 73 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 7-MTPB | 100mt160 | Estándar | 7-MTPB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.51 v @ 100 a | 100 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||
 | VBT6045CBP-E3/8W | 2.9000 | | 6165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT6045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 640 MV @ 30 A | 3 Ma @ 45 V | 200 ° C (Max) | |||||||
 | PB3508-E3/45 | 3.7100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, PB | PB3508 | Estándar | isocink+™ pb | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V |
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