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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3N258-E4/72 | - |  | 7294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N258 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||
| KBP02M-61E4/51 | - | | 7852 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP02 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||
| KBP02ML-6127E4/72 | - | | 3328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP02 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||
| KBP04M-43E4/51 | - | | 9560 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP04 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||||
| KBP06ML-6161E4/72 | - | | 1359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP06 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||
| KBP06ML-6424E4/72 | - | | 8293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP06 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||
| KBP08ML-6747E4/51 | - | | 7762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | KBP08 | Estándar | KBPM | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.3 V @ 1.57 A | 5 µA @ 800 V | 1.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||
 | Byg10dhe3_a/i | 0.1403 | | 1846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg10 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||
| Byg21khe3_a/h | 0.1429 | | 5937 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg21 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 V @ 1.5 A | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||
| Byg22ahe3_a/i | 0.1815 | | 9806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg22 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 2 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||
 | Bu25h06-m3/p | 1.9637 | | 3218 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | isocink+™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU25H06 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | BU25H06-M3/PGI | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||
| BU25H06-E3/A | 1.8414 | | 1541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | isocink+™ | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU25H06 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | BU25H06-E3/AGI | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||
| BU25H06-E3/P | 1.9637 | | 4069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | isocink+™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU25H06 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | BU25H06-E3/PGI | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||
 | V20pwm10hm3/i | 1.0200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V20PWM10 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 20 A | 200 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1575pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| V35PW15-M3/I | 1.3300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V35PW15 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.4 V @ 35 A | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | 1620pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| V40PW60C-M3/I | 1.4900 | | 228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V40PW60 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 680 MV @ 20 A | 2.4 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | VSKY05301006-G4-08 | 0.3400 | | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | VSKY05301006 | Schottky | CLP1006-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 430 MV @ 500 Ma | 75 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 140pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | EGF1B-1HE3/67A | - | | 7223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214BA | EGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
| VS-130MT160C | 87.4500 | | 4034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | MTC | 130MT160 | Estándar | MTC | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 2.05 V @ 300 A | 130 A | Fase triple | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||
| VS -50MT060WDF -P | - | | 1842 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | 150MT060 | 543 W | Estándar | 12 MTP Pressfit | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | PÍCARO DE DOBLE DOLAR | - | 600 V | 138 A | 2.48V @ 15V, 80A | 100 µA | No | 14 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
| VS-ITET020P120F | 179.8500 | | 5155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | ETY020 | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vs-murb820hm3 | 0.6600 | | 3283 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb820 | Estándar | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
| Vs-murb820TrRHM3 | 0.8056 | | 1968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb820 | Estándar | TO-263 (D2PAK) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||
| VSSAF3M10HM3/I | 0.1304 | | 6499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SLIMSMA ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF3M10 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | 364pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| VSSAF515-M3/I | 0.1073 | | 1578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS®, SLIMSMA ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF515 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.1 v @ 5 a | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
 | VSSAF5M10-M3/H | 0.4500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS®, SLIMSMA ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF5M10 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 790 MV @ 5 A | 400 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 5A | 470pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| VSSAF5M6-M3/I | 0.4500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS®, SLIMSMA ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Saf5m6 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 660 MV @ 5 A | 350 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 5A | 580pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| BYM07-100HE3_A/I | - | | 5472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Bym07-100he3_b/i | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
| Bym07-50he3_a/i | - | | 3683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | BYM07-50HE3_B/I | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | - | | 5821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym11 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | BYM11-800HE3_B/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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