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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
RGF1G-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1G-E3/5CA 0.2528
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214BA RGF1 Estándar DO-214BA (GF1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-RGF1G-E3/5CATR EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 1700 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
V2PM6L-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pm6l-m3/i 0.0820
RFQ
 ECAD 3117 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA V2PM6 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V2PM6L-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 2 A 200 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2a 250pf @ 4V, 1 MHz
SL44HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44HM3_A/H 0.4300
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SL44 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SL44HM3_A/HTR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
SE40PWJCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PWJCHM3/I 0.2500
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SE40 Estándar Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SE40PWJCHM3/ITR EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 14PF @ 4V, 1MHz
V60120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60120C-M3/4W 0.9715
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 V60120 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-V60120C-M3/4W EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 30A 950 MV @ 30 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
SE40PWJC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PWJC-M3/I 0.2272
RFQ
 ECAD 1732 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SE40 Estándar Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SE40PWJC-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 14PF @ 4V, 1MHz
V2P6X-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2p6x-m3/i 0.0792
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA V2P6 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V2P6X-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 640 MV @ 2 A 100 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2a 240pf @ 4V, 1MHz
VS-10TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045HN3 0.7161
RFQ
 ECAD 8404 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 10TQ045 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-10TQ045HN3 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 570 MV @ 10 A 2 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 900pf @ 5V, 1 MHz
VS-15TQ060STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15TQ060STRLHM3 -
RFQ
 ECAD 4604 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 15TQ060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-15TQ060STRLHM3TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 15 A 800 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 720pf @ 5V, 1MHz
ES2DHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es2dhm3_a/h 0.1718
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2D Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-ES2DHM3_A/HTR EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 2 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 18pf @ 4V, 1 MHz
ES1DHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es1dhm3_a/i 0.1049
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-ES1DHM3_A/ITR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
VS-45APF06L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APF06L-M3 -
RFQ
 ECAD 2542 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 45APF06 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-45APF06L-M3 EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.31 V @ 45 A 180 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 45a -
SS36HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss36hm3_a/i 0.2515
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SS36HM3_A/ITR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MURS460-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS460-M3/H 0.4387
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Murs460 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-MURS460-M3/HTR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a -
S2GHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2GHM3_A/I 0.1021
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2G Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-S2GHM3_A/ITR EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 V @ 1.5 A 2 µs 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 16PF @ 4V, 1MHz
V1F6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1f6hm3/h 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB V1F6 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 1 A 270 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 135pf @ 4V, 1MHz
V1FM12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1fm12-m3/i 0.0592
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB V1FM12 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-V1FM12-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 870 MV @ 1 A 65 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A 95pf @ 4V, 1 MHz
VS-18TQ045SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045SHM3 1.2167
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 18TQ045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-18TQ045SHM3 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 18 A 2.5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A 1400pf @ 5V, 1MHz
S3JHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3JHM3_A/H 0.1873
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-S3JHM3_A/HTR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
V1FM12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1FM12-M3/H 0.0592
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB V1FM12 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-V1FM12-M3/HTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 870 MV @ 1 A 65 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A 95pf @ 4V, 1 MHz
SE60PWJC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE60PWJC-M3/I 0.2714
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SE60 Estándar Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SE60PWJC-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 3 a 1.2 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 22pf @ 4V, 1 MHz
VS-8ETL06STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8etl06strRHM3 1.7900
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 8etl06 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.05 v @ 8 a 250 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
ES3DHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3dhm3_a/i 0.2673
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-ES3DHM3_A/ITR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA06TB120SLHMH Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06TB120SLHMH -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * Tubo Activo HFA06 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-HFA06TB120SLHMH 800
V3PL45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3pl45hm3/i 0.1089
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA V3PL45 Schottky DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V3PL45HM3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 540 MV @ 3 A 450 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A 550pf @ 4V, 1MHz
V1F6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1f6-m3/i 0.0592
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB V1F6 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-V1F6-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 1 A 270 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 135pf @ 4V, 1MHz
VS-8DKH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8DKH02-M3/I 0.3795
RFQ
 ECAD 7355 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn 8DKH02 Estándar Flatpak 5x6 (dual) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 4A 960 MV @ 4 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
S1GHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1GHM3_A/I 0.0700
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-S1GHM3_A/ITR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
SE40PWGC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PWGC-M3/I 0.2272
RFQ
 ECAD 9115 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SE40 Estándar Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-SE40PWGC-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 14PF @ 4V, 1MHz
VS-94-2140PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-94-2140PBF -
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-VS-94-2140PBF EAR99 8541.10.0080 25
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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