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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-VSKH41/04 | 37.7510 |  | 4922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKH41 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH4104 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 V | 100 A | 2.5 V | 850a, 890a | 150 Ma | 45 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKT136/14PBF | 76.3887 | | 6658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | VSKT136 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.4 kV | 300 A | 2.5 V | 3200A, 3360A | 150 Ma | 135 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS ST330C04L1 | 118.2833 | | 7546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST330 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST330C04L1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 400 V | 1420 A | 3 V | 7570a, 7920a | 200 MA | 1.96 V | 720 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
| VS-ST173S10PFP1 | - | | 6865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AB, TO-93-4, Stud | ST173 | TO-209AB (TO-93) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST173S10PFP1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1 kV | 275 A | 3 V | 3940a, 4120a | 200 MA | 2.07 V | 175 A | 40 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
 | VSKT230-12 | - | | 8992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKT230 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.2 kV | 510 A | 3 V | 7500a, 7850a | 200 MA | 230 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | EGP10GEHM3/73 | - | | 6048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DZ23C8V2-E3-18 | 0.0415 | | 4089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 6 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS5P3HM3_A/H | 0.2613 | | 6241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss5p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZD27B13P-HE3-08 | 0.1238 | | 1488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-MUrB1520TRLPBF | - | | 2505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb1520 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 15 a | 22 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKT26/06 | 37.9320 | | 9265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKT26 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKT2606 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||
| 16TTS08Strl | - | | 6552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 16TTS08 | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 100 mA | 800 V | 16 A | 2 V | 200a @ 50Hz | 60 Ma | 1.4 V | 10 A | 500 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6481-E3/97 | 0.1246 | | 3736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N6481 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-SD800C30L | 201.1733 | | 3968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | Do-200ab, B-PUK | SD800 | Estándar | Do-200ab, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 1.66 v @ 2000 A | 50 mA @ 3000 V | 1180a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-400U160D | 67.1800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 400u160 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.62 v @ 1500 A | 15 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 200 ° C | 400A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27B4V3P-HE3-08 | 0.1238 | | 1739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | Bzd27b4v3 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 4.3 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VSKD270-30 | - | | 9610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKD270 | Estándar | Magn-A-Pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 3000 V | 270a | 50 mA @ 3000 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB240S-E3/73 | 0.4400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB240 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | S1PJHM3/84A | 0.3800 | | 8542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYW29-100HE3/45 | - | | 8570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 400CNQ035 | - | | 4480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | 400cnq | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *400CNQ035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 200a | 730 MV @ 400 A | 20 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | CPV362M4U | - | | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV362 | 23 W | Estándar | IMS-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 V | 7.2 A | 1.95V @ 15V, 7.2a | 250 µA | No | 530 pf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-20ETS08FP-M3 | 2.7400 | | 7834 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | 20ets08 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 20 A | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-12TTS08STRLPBF | - | | 8210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TTS08 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS12TTS08STRLPBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 30 Ma | 800 V | 12.5 A | 1 V | 95A @ 50Hz | 15 Ma | 1.2 V | 8 A | 50 µA | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
 | V20100C-M3/4W | 1.6800 | | 4924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V20100 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 790 MV @ 10 A | 800 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-111RKI120PBF | 49.4000 | | 2167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AC, TO-94-4, Stud | 111RKI120 | TO-209AC (TO-94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS111RKI120PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 1.2 kV | 172 A | 2 V | 1750a, 1830a | 120 Ma | 1.57 V | 110 A | 20 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
| VSKL250-16 | - | | 6017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKL250 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 1.6 kV | 555 A | 3 V | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-MBRB735-M3 | 1.1800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB735 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 570 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | LL103A-GS18 | 0.4400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL103 | Schottky | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GDZ18B-HG3-08 | 0.0523 | | 2821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ18 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65 ohmios |
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