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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G2SB60L-5700E3/45 | - |  | 7168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SB60 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |
| G2SB60L-5700E3/51 | - | | 7117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SB60 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |
| G2SB60L-5753E3/45 | - | | 1045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SB60 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |
| G3SBA60-5410M3/45 | - | | 1768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| G3SBA60L-5700M3/51 | - | | 6392 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| G3SBA60L-5704E3/51 | - | | 5114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| G3SBA60L-5708E3/51 | - | | 7364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| G3SBA60L-6000E3/51 | - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2.3 A | Fase única | 600 V | |
| G5SBA60L-6088E3/51 | - | | 5527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G5SBA60 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | 2.8 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06-3E3/51 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06L-5305E3/45 | - | | 4105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06L-5600E3/51 | - | | 6820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06L-6177E3/51 | - | | 3262 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06L-6832E3/45 | - | | 1826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL06L-7000E3/45 | - | | 6463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBL08-5000M3/51 | - | | 3240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL08 | Estándar | GBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | |
| GBL08-5300E3/51 | - | | 9373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL08 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | |
| GBLA06L-6985M3/45 | - | | 9435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4A-1M3/51 | - | | 9966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 3 A | Fase única | 50 V | |
| GBU4DL-5303E3/45 | - | | 9570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 3 A | Fase única | 200 V | |
| GBU4DL-6419E3/45 | - | | 4992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 3 A | Fase única | 200 V | |
| GBU4GL-6420E3/51 | - | | 2170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 3 A | Fase única | 400 V | |
| GBU4JL-5300E3/51 | - | | 1356 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4JL-5300M3/51 | - | | 2541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4JL-5303E3/45 | - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4JL-5708E3/51 | - | | 9000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4JL-7002E3/45 | - | | 1447 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBU4M-7001E3/51 | - | | 2791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | |
| GBU4ML-7001E3/51 | - | | 1217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | |
| GBU6JL-5000M3/51 | - | | 2687 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 3.8 A | Fase única | 600 V |
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