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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5060GP-E3/54 | 0.6300 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5060 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TZQ5234B-GS18 | 0.0303 | | 1191 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZQ5234 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GBL10-E3/51 | 1.5800 | | 1310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL10 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SML4740A-E3/61 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4740 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-16ria10m | 17.1757 | | 4697 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 16ria10 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs16ria10m | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 100 V | 35 A | 2 V | 285a, 300a | 60 Ma | 1.75 V | 16 A | 20 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384B13-E3-18 | 0.2700 | | 9127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B13 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C30-M3-18 | 0.1089 | | 4041 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C30 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 22 V | 30 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EGL34G-E3/83 | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | EGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-ETU1506strRHM3 | 0.9063 | | 5314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ETU1506 | Estándar | TO-263 (D2PAK) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | V3pm15hm3/h | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V3PM15 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 760 MV @ 1.5 A | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 180pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | AZ23C5V1-HE3-08 | 0.0436 | | 8899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C5V1 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 800 MV | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1475 | - | | 8133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1475 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5262C-HE3-08 | 0.0454 | | 9578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5262 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384C2V4-E3-08 | 0.2400 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C2V4 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-88-6554 | - | | 9714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 88-6554 | - | 112-VS-88-6554 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1077 | - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1077 | - | 112-VS-S1077 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V2PM10L-M3/I | 0.0820 | | 2808 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V2PM10 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V2PM10L-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 5 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.9a | 195pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS26HM3_A/H | 0.1637 | | 2256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-SS26HM3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | V10K100DUHM3/H | 0.8200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | V10K100 | Schottky | Flatpak 5x6 (dual) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 100 V | 5A | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-GB70LA60UF | - | | 4224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB70 | 447 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSGB70LA60UF | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Soltero | Escrutinio | 600 V | 111 A | 2.44V @ 15V, 70A | 100 µA | No | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C33-VG-08 | - | | 3273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c-vg | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C15-HE3_A-18 | 0.0533 | | 9874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52C15-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ss1fn6hm3/i | 0.0693 | | 9125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS1FN6 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 530 MV @ 1 A | 800 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C68-HE3_A-08 | 0.0498 | | 2308 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C68-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S3JHE3_A/H | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-1EFH02-M3/I | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | 1EFH02 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 1 A | 16 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Zpy68-tap | 0.0545 | | 8435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Zpy68 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Zpy68tap | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 na @ 51 V | 68 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-S1844 | - | | 7626 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-S1844 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-CPV364M4UPBF | - | | 4578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV364 | 63 W | Estándar | IMS-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 20 A | 2.1V @ 15V, 10a | 250 µA | No | 2.1 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SS8PH9-E3/87A | - | | 2920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS8PH9 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 900 MV @ 8 A | 2 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - |
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