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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PLZ20A-G3/H | 0.3200 |  | 35 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ20 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 15 V | 20 V | 28 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UG10DCThe3/45 | - | | 8996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | UG10 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 1.1 v @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4705-E3-18 | 0.0360 | | 5992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4705 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 13.6 V | 18 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VS24ASR04M | - | | 4273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS24 | - | 112-VS-VS24Asr04m | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-80-1320PBF | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | VS-80 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-VS-80-1320PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-80-7847 | - | | 1915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-7847 | - | 112-VS-80-7847 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF06SA-E3/45 | 0.6600 | | 6060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF06 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VS24DLR12LS15 | - | | 8944 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS24 | - | 112-VS-VS24DLR12LS15 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2W10G-E4/51 | 0.8200 | | 5387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Wog | 2W10 | Estándar | Montar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBL08-M3/45 | 0.8804 | | 7080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL08 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 v @ 2 a | 10 µA @ 800 V | 4 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | V1fl45-m3/i | 0.0592 | | 5163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V1FL45 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V1FL45-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 530 MV @ 1 A | 250 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 190pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C16P-E3-18 | 0.1475 | | 1165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GT400TH120N | - | | 2344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 8) | GT400 | 2119 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGT400TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | Zanja | 1200 V | 600 A | 2.15V @ 15V, 400A | 5 Ma | No | 28.8 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZG04-62-HM3-08 | 0.2079 | | 3079 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-62 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 62 V | 75 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-5701E3/45 | - | | 5350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | G2SBA60 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smzj3804bhm3_a/i | - | | 5605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3804 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52B4V7-HE3-18 | 0.0436 | | 8001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B4V7 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4.7 V | 78 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C9V1-VG-08 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c-vg | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GL41KHE3/97 | - | | 4843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | GL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | GL41KHE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-ST700C08L0 | 191.1533 | | 2938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, B-PUK | ST700 | A 200ac, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST700C08L0 | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 800 V | 1857 A | 3 V | 13200A, 13800A | 200 MA | 1.8 V | 910 A | 80 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||
 | NSB8MT-E3/81 | 1.0400 | | 530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGP30DHE3/73 | - | | 9498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Rgp30 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | AZ23B47-HE3_A-08 | - | | 4063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23B47-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GDZ5V6B-HG3-18 | 0.0509 | | 5734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ5V6 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C24-HE3-08 | 0.0436 | | 3829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C24 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZMM5267B-7 | - | | 3967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5267B-7GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ7V5B-G3-08 | 0.3400 | | 1714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ7V5 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B43-HE3-08 | 0.0341 | | 9321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B43 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMZJ3806A-E3/5B | - | | 1005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-65APF12L-M3 | 3.2236 | | 2528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 65APF12 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.42 V @ 65 A | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 65a | - |
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