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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
ESH1PBHE3/85A	-	RFQ	2314	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
V3f6hm3/i	0.0875	RFQ	3185	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3F6	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		620 MV @ 3 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	310pf @ 4V, 1MHz
Es2ghe3/5bt	-	RFQ	5252	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
VLZ22B-GS18	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ22		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 19.6 V						20.64 V	30 ohmios
PB3010-E3/45	3.8300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	isocink+™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, PB	PB3010	Estándar		isocink+™ pb	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20						1.1 V @ 15 A		10 µA @ 1000 V		30 A		Fase única	1 kV
RGP02-12EHE3/73	-	RFQ	3793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
Byv26e-tap	0.7200	RFQ	85	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BYV26	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Uh4pbchm3_a/i	0.3816	RFQ	9973	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	21pf @ 4V, 1 MHz
TZQ5228B-GS08	0.0303	RFQ	2839	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5228		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
RS1PG-M3/84A	0.4000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1p	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
MBRF1545CT-E3/45	1.4700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF1545	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZT52C4V7-HE3_A-18	0.0533	RFQ	5333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C4V7-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000								500 na @ 1 V						4.7 V	78 ohmios
GBPC1005/1	-	RFQ	1448	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-1	GBPC1005	Estándar		GBPC1	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100						1 V @ 1.5 A		5 µA @ 50 V		2 A		Fase única	50 V
SMZG3790B-E3/52	0.2407	RFQ	6182	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG3790		1.5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750								10 µA @ 8.4 V						11 V	6 ohmios
MI3045S-E3/4W	-	RFQ	8183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MI3045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		700 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	30A	-
1N5235B-TAP	0.2300	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5235		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V						6.8 V	5 ohmios
TZMC36-GS08	0.2300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC36		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V						36 V	80 ohmios
GDZ10B-HG3-18	0.0523	RFQ	1223	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ10		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 7 V						10 V	30 ohmios
1N4001GPEHE3/91	-	RFQ	6312	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4001	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BU12065S-M3/45	-	RFQ	6380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, BU-5S	BU12065	Estándar		isocink+™ bu-5s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800						1.05 v @ 6 a		5 µA @ 600 V		12 A		Fase única	600 V
MMBZ4691-HE3-08	-	RFQ	8301	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4691		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								10 µA @ 5 V						6.2 V
VS-10WT10FNTRR	-	RFQ	5081	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	10WT10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS10WT10FNTRR	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		810 MV @ 10 A		50 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	400pf @ 5V, 1MHz
MMBZ5266B-HE3-18	-	RFQ	1166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5266		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 52 V						68 V	230 ohmios
V15p22-m3/i	0.5768	RFQ	9338	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15P22-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		910 MV @ 15 A		350 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3.3a	835pf @ 4V, 1MHz
VS-15CTQ040-1PBF	-	RFQ	6285	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	15CTQ040	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS15CTQ0401PBF	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	15A	700 MV @ 15 A		800 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
BZG03C200TR	-	RFQ	2938	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzg03c	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	-	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V						200 V	500 ohmios
DZ23C3V3-G3-18	0.0483	RFQ	9070	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común													3.3 V	95 ohmios
RGP02-20EHE3/54	-	RFQ	2321	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		2000 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
SML4744HE3_A/H	0.1658	RFQ	8220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4744		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800								5 µA @ 11.4 V						15 V	14 ohmios
VS-95-5173PBF	-	RFQ	1975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Obsoleto									-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	50