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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MMBZ5266B-HE3-18	-	RFQ	1166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5266		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						100 na @ 52 V						68 V	230 ohmios
Murs360he3_a/i	0.2932	RFQ	1829	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs360	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.28 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
GLL4760A-E3/97	0.3168	RFQ	8519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4760		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						5 µA @ 51.7 V						68 V	150 ohmios
MMSZ5239C-G3-08	0.0483	RFQ	9046	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5239		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000						3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohmios
BZD27C30P-M3-18	0.1650	RFQ	6379	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C30		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22 V						30 V	15 ohmios
Uh4pbchm3_a/i	0.3816	RFQ	9973	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	21pf @ 4V, 1 MHz
1N5235B-TAP	0.2300	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5235		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000				1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V						6.8 V	5 ohmios
MMBZ4698-E3-18	-	RFQ	5293	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4698		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						50 na @ 8.4 V						11 V
MMSZ5256B-HE3-18	0.0378	RFQ	1822	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5256		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						100 na @ 23 V						30 V	49 ohmios
VLZ7V5A-GS08	-	RFQ	9143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ7V5		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500				1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V						7.04 V	8 ohmios
SML4744HE3_A/H	0.1658	RFQ	8220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4744		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800						5 µA @ 11.4 V						15 V	14 ohmios
RGP02-12EHE3/73	-	RFQ	3793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
BZG03C200TR	-	RFQ	2938	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzg03c	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	-	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500				1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V						200 V	500 ohmios
BZT52C4V7-HE3_A-18	0.0533	RFQ	5333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C4V7-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000						500 na @ 1 V						4.7 V	78 ohmios
GBU4J-E3/51	1.9500	RFQ	441	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GBU4JE351	EAR99	8541.10.0080	250				1 v @ 4 a		5 µA @ 600 V		4 A		Fase única	600 V
Es2ghe3/5bt	-	RFQ	5252	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
Byv26e-tap	0.7200	RFQ	85	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BYV26	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1000 V	2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BZX384C5V6-HG3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1 µA @ 2 V						5.6 V	15 ohmios
BZW03D16-TR	-	RFQ	7814	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500				1.2 v @ 1 a		2 µA @ 11.6 V						16 V	2.5 ohmios
RS1PG-M3/84A	0.4000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1p	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
V3f6hm3/i	0.0875	RFQ	3185	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3F6	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	60 V	620 MV @ 3 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	310pf @ 4V, 1MHz
VLZ22B-GS18	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ22		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 19.6 V						20.64 V	30 ohmios
MI3045S-E3/4W	-	RFQ	8183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MI3045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	700 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	30A	-
TZMC36-GS08	0.2300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC36		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500				1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V						36 V	80 ohmios
1N4001GPEHE3/91	-	RFQ	6312	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4001	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
GBPC1005/1	-	RFQ	1448	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-1	GBPC1005	Estándar		GBPC1	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100				1 V @ 1.5 A		5 µA @ 50 V		2 A		Fase única	50 V
DZ23C3V3-G3-18	0.0483	RFQ	9070	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común											3.3 V	95 ohmios
MMBZ4691-HE3-08	-	RFQ	8301	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4691		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000						10 µA @ 5 V						6.2 V
PB3010-E3/45	3.8300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	isocink+™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, PB	PB3010	Estándar		isocink+™ pb	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20				1.1 V @ 15 A		10 µA @ 1000 V		30 A		Fase única	1 kV
ESH1PBHE3/85A	-	RFQ	2314	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz