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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-95-5173PBF | - |  | 1975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
 | MBRF1545CT-E3/45 | 1.4700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF1545 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 7.5a | 570 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
 | SMZG3790B-E3/52 | 0.2407 | | 6182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG3790 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 6 ohmios | |||||||||||||||
 | RGP02-20EHE3/54 | - | | 2321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||||
 | TLZ18-GS18 | 0.0335 | | 2596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ18 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 18 V | 23 ohmios | |||||||||||||||
 | Tzx9v1d-tr | 0.2300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx9v1 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.8 V | 9.1 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
 | GDZ10B-HG3-18 | 0.0523 | | 1223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ10 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
 | BZD17C13P-E3-18 | 0.1482 | | 8133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 10 V | 13 V | |||||||||||||||
 | V15p22-m3/i | 0.5768 | | 9338 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V15P22-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 910 MV @ 15 A | 350 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3.3a | 835pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | VS-15CTQ040-1PBF | - | | 6285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 15CTQ040 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS15CTQ0401PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 800 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
 | BU12065S-M3/45 | - | | 6380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU12065 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 12 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
| BZD27C200P-E3-08 | 0.4400 | | 80 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C200 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||||
 | 30hfur-600 | - | | 6546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 30hfur | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *30hfur-600 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 V @ 30 A | 80 ns | 35 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - | |||||||||||
 | SS8P3LHM3/87A | - | | 6060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 570 MV @ 8 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 330pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | MMBZ5239C-G3-08 | - | | 6094 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5239 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
 | MSQ1PGHM3/H | 1.5600 | | 4784 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | MicroSMP | MSQ1 | Estándar | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 650 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | BU10105S-M3/45 | - | | 4670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU10105 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||
 | VS-301ura240 | - | | 4387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 301ura240 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS301ura240 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2400 V | 1.46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 330A | - | |||||||||||||
| AZ23C47-E3-18 | 0.0415 | | 5471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C47 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 35 V | 47 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
 | SBLB10L25HE3_B/I | 0.8580 | | 7273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SBLB10L25HE3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 25 V | 460 MV @ 10 A | 800 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
 | VS-83CNQ100AMSPBF | - | | 7720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 83CNQ100 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS83CNQ100AMSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 40A | 810 MV @ 40 A | 1.5 Ma @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
| Gp10ye-m3/54 | - | | 7880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | BZT03D220-TAP | - | | 8530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5.68% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 750 ohmios | ||||||||||||||
 | Smaz5938b-m3/5a | 0.1073 | | 2753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5938 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | ||||||||||||||
 | ESH3CHE3/57T | - | | 4194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ESH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
 | MCL4151-TR | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | MCL4151 | Estándar | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
| MCL101A-TR3 | 0.0712 | | 4180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | MCL101 | Schottky | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 30mera | - | |||||||||||||
| VS-10CSH01-M3/87A | 0.2970 | | 4797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 10CSH01 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 980 MV @ 5 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
| BZG05B82-E3-TR | - | | 6967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
| BZT52C13-HE3_A-08 | 0.0533 | | 5105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52C13-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios |
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