RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52B3V3-G3-18	0.0501	RFQ	1671	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B3V3		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																						3.3 V	80 ohmios
BZT52C5V1-E3-08	0.2700	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	-	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C5V1		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															100 na @ 800 MV							5.1 V	60 ohmios
RGF1MHE3/5CA	-	RFQ	8021	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar			DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
AZ23B5V6-E3-08	0.0509	RFQ	9674	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B5V6		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común														100 na @ 1 V							5.6 V	40 ohmios
SML4752-E3/5A	0.1733	RFQ	8741	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4752		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500															5 µA @ 25.1 V							33 V	45 ohmios
MMBZ5262C-G3-08	-	RFQ	4625	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5262		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000															100 na @ 39 V							51 V	125 ohmios
MMBZ4697-HE3-08	-	RFQ	7238	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4697		350 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000															1 µA @ 7.6 V							10 V
KBP08M-9E4/51	-	RFQ	1997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	KBP08	Estándar			KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600													1.3 V @ 1.57 A		5 µA @ 800 V		1.5 A			Fase única	800 V
BZT03D8V2-TAP	-	RFQ	3378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6.1%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000													1.2 V @ 500 Ma		600 µA @ 6.2 V							8.2 V	2 ohmios
SB350-E3/54	0.5900	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB350	Schottky			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		680 MV @ 3 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-4EWH02FN-M3	0.8200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	4ewh02	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-4EWH02FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									200 V		950 MV @ 4 A	20 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
Tzx18c-tr	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX18		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 13 V							18 V	55 ohmios
BZD27C100P-M3-08	0.1733	RFQ	2032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C100		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 75 V							100 V	200 ohmios
BZX84B27-E3-18	0.0324	RFQ	9247	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B27		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															50 na @ 18.9 V							27 V	80 ohmios
V15kl45chm3/i	0.4901	RFQ	4879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KL45CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	5.6a	540 MV @ 7.5 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VLZ4V3B-GS08	-	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	Vlz4v3		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500													1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V							4.3 V	40 ohmios
MBR30H45CT-E3/45	-	RFQ	5452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		80 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4715-HE3-18	0.0378	RFQ	7250	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4715		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															10 na @ 27.3 V							36 V
VS-VSKH136/14PBF	71.3693	RFQ	9797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Int-a-pak (3 + 4)	VSKH136			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH13614PBF	EAR99	8541.30.0080	15			200 MA	1.4 kV	300 A	2.5 V	3200A, 3360A	150 Ma	135 A										1 scr, 1 diodo
SMZJ3805BHE3/52	-	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ38		1.5 W		DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750															5 µA @ 35.8 V							47 V	67 ohmios
GP10N-M3/54	-	RFQ	2628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1100 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
BZG05B51-M3-18	0.1980	RFQ	4122	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B51		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000													1.2 v @ 200 ma		500 na @ 39 V							51 V	115 ohmios
VS-VSKJ320-20PBF	202.5750	RFQ	7539	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ32020PBF	EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)								1 par Ánodo Común	2000 V	160A			50 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Nsf8jththththe 45	-	RFQ	6750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	NSF8	Estándar			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BAT165-G3/H	0.3900	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AC		Schottky			DO-219AC (microsmf)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									40 V		540 MV @ 250 Ma		8 µA @ 40 V	150 ° C	500mA	8.4pf @ 10V, 1 MHz
VI30100C-M3/4W	0.8542	RFQ	3907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI30100	Schottky			Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	100 V	15A	800 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27C20P-HE3-18	0.1536	RFQ	6702	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15 V							20 V	15 ohmios
TZS4717-GS08	0.0411	RFQ	8952	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZS4717		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500													1.5 V @ 100 Ma		10 µA @ 32.6 V							43 V
Bate41-tap	0.3900	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAT41	Schottky			DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad									100 V		1 V @ 200 Ma		100 na @ 100 V	125 ° C (Máximo)	100mA	2pf @ 1v, 1 MHz
VSSAF3M6-M3/H	0.4300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Saf3m6	Schottky			DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									60 V		620 MV @ 3 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	500pf @ 4V, 1MHz