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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-20ETF12Strl-M3 | 1.6150 |  | 4624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
 | BZX55B51-TR | 0.0271 | | 2054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55B51 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||
 | PLZ15B-HG3_A/H | 0.3600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ15 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||
 | VS-160MT160KPBF | 89.3000 | | 44 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 160MT160 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS160MT160KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 160 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||
 | S1GHM3_A/H | 0.0677 | | 9441 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1g | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-S1GHM3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SMPZ3936B-M3/84A | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ3936 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 26 ohmios | ||||||||||||
 | BZD27B39P-E3-18 | 0.1155 | | 2053 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B39 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohmios | ||||||||||||
 | MMBZ5246B-E3-18 | - | | 5242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5246 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||
| AZ23B10-G3-18 | 0.0594 | | 7213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B10 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | ||||||||||||
 | ZMY43-GS08 | 0.4200 | | 935 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY43 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 32 V | 43 V | 80 ohmios | |||||||||||||
| PTV16B-M3/85A | 0.1153 | | 3044 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV16 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 12 V | 17.3 V | 12 ohmios | ||||||||||||
 | DF10SA-E3/77 | 0.6400 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF10 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| PLZ16C-HG3_A/H | 0.3600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ16 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 12 V | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||
| VS-10TQ045Strl-M3 | 1.4200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
| DZ23C6V2-HE3_A-08 | - | | 6627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C6V2-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 4.8 ohmios | |||||||||||||||
| DZ23C13-G3-08 | 0.0483 | | 6398 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4454-TAP | 0.0530 | | 6273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4454 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||
 | VS-E5TH2112S2LHM3 | 3.0200 | | 850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® G5 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.66 V @ 20 A | 125 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | - | ||||||||||||
| DF1502S-E3/77 | 0.7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF1502 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
 | VS-Enu060y60U | - | | 1403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | ROHS3 Cumplante | 112-vs-enu060y60u | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384C20-HE3-08 | 0.0341 | | 5731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C20 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||
| BZG05C6V2-M3-08 | 0.3900 | | 8599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C6V2 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 4 ohmios | ||||||||||||
 | VS-ETU0805FP-M3 | 1.0725 | | 6844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | ETU0805 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-ETU0805FP-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.25 v @ 8 a | 50 ns | 9 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||
| BZX384B5V1-E3-08 | 0.2700 | | 60 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B5V1 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||
| BZX84C4V7-E3-08 | 0.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C4V7 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||
 | MUR160-E3/73 | - | | 1130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | MUR160 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
| BZX84C75-HE3-08 | 0.0323 | | 8995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C75 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | |||||||||||||
 | BZW03D68-TR | - | | 1709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 49 V | 68 V | 44 ohmios | ||||||||||||
 | SMZJ3793B-E3/5B | 0.1546 | | 2389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3793 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||
| DF15005S-E3/45 | 0.3298 | | 6334 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF15005 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 A | Fase única | 50 V |
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