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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SML4740HE3_A/I | 0.1434 |  | 3433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4740 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irkl105/12a | - | | 3094 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl105 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2 kV | 235 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05B15-E3-TR3 | - | | 7986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VLZ27-GS08 | - | | 9575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ27 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 27 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-4EWH02FNTRR-M3 | 0.3406 | | 1002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 4ewh02 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS4EWH02FNTRRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 4 A | 20 ns | 3 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MBRB1060HE3/81 | - | | 1542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB10 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GPP10A-E3/73 | - | | 1620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GPP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-MBR40L15CW-N3 | 2.1835 | | 9506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR40 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-MBR40L15CW-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 420 MV @ 20 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FGP30DHE3/73 | - | | 3025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FGP30 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C7V5-G3-08 | 0.2700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C7V5 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-80CNQ040AMSPBF | - | | 9425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 80CNQ040 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS80CNQ040AmSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 40A | 520 MV @ 40 A | 5 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | M3035S-E3/4W | - | | 9559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | M3035 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 700 MV @ 30 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-8TQ100StrlPBF | - | | 5706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 8TQ100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 500pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | V3PM12-M3/H | 0.3800 | | 577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V3PM12 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 620 MV @ 1.5 A | 300 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.9a | 290pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-15eth03Strlhm3 | 1.1846 | | 4373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15eth03 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-15eth03StrlHM3TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 15 A | 40 ns | 40 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| VS-8DKH02-01HM3/I | - | | 7453 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | 8DKH02 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-8DKH02-01HM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GT80DA60U | - | | 5528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT80 | 454 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-GT80DA60U | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 123 A | 2.45V @ 15V, 80A | 100 µA | No | 10.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| B80C800GL-801E4/51 | 0.6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Wog | B80 | Estándar | Montar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-B80C800GL-801E4/51 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 900 Ma | 10 µA @ 125 V | 900 mA | Fase única | 125 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSHPS1445 | - | | 3948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-vs-vshps1445 | Obsoleto | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smzj3802bhm3_b/i | 0.1500 | | 4768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3802 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SMZJ3802BHM3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Smzj3809bhm3_b/h | 0.1508 | | 2192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3809 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SMZJ3809BHM3_B/H | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5244C-HE3_A-08 | - | | 1115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5244C-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C20-HE3_A-08 | - | | 2843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23C20-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C3V0-HE3_A-18 | - | | 2661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C3V0-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 3 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52B10-HE3_A-08 | 0.0533 | | 8624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B10-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C33-HE3_A-18 | 0.0498 | | 6117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C33-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5231C-HE3_A-08 | 0.0566 | | 5062 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5231C-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BU10065S-M3/45 | - | | 1542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | Estándar | isocink+™ bu-5s | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-BU10065S-M3/45TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 5 a | 5 µA @ 600 V | 3.2 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BU2010L-7001M3/51 | - | | 6042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Estándar | isocink+™ bu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-BU2010L-7001M3/51TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 3.5 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BU2010L-7001E3/51 | - | | 6136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | Estándar | isocink+™ bu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-BU2010L-7001E3/51TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 3.5 A | Fase única | 1 kV |
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