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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | V20pwm10chm3/i | 1.1500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V20PWM10 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 820 MV @ 10 A | 150 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | MB3035S-E3/4W | - | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MB3035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 700 MV @ 30 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | 980pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
BZX84B7V5-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 5888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B7V5 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5232B-HE3-08 | - | ![]() | 9426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5232 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-80CPU02-N3 | 8.7400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 80CPU02 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-80CPU02-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 40A | 1.02 v @ 40 a | 33 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST333C08LFL1 | 198.2567 | ![]() | 3598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | TO-200AB, E-PUK | ST333 | TO-200AB (E-PUK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST333C08LFL1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 800 V | 1435 A | 3 V | 9250a, 9700a | 200 MA | 1.96 V | 720 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | VS-80RIA120 | 48.8396 | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Una granela | Activo | 80ria120 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBZ5924B-E3/5B | 0.2617 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5924 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 25 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | V20DM60C-M3/I | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 660 MV @ 10 A | 600 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5263B-13 | - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5263B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | V60D60CHM3/I | 2.3300 | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V60D60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 30A | 640 MV @ 30 A | 5 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | 181NQ045 | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 Half-Pak | 181NQ045 | Schottky | D-67 Half-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *181NQ045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 660 MV @ 180 A | 15 Ma @ 45 V | 180A | 7800pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBR6045WTPBF | - | ![]() | 7107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR60 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 620 MV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C20-M3-18 | 0.1815 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C20 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkh57/08a | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh57 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 V | 135 A | 2.5 V | 1310a, 1370a | 150 Ma | 60 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | Irkh105/04a | - | ![]() | 8256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkh105 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 400 V | 235 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB20H90CT-E3/45 | - | ![]() | 4812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-25RIA60 | 17.8200 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 25ria60 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 600 V | 40 A | 2 V | 420a, 440a | 60 Ma | 1.7 V | 25 A | 10 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
![]() | BYT53F-TR | 0.3069 | ![]() | 4895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | ByT53 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.9a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1pd-e3/85a | - | ![]() | 6059 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
ZMY4V7-GS08 | 0.4200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY4V7 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 4.7 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLZ30-GS18 | 0.0335 | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ30 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TZMC3V9-M-18 | 0.0324 | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC3V9 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
BAS40-00-HE3-08 | 0.3500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 100 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
BZX84C24-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C24 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4947GP-M3/73 | - | ![]() | 8776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4947 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA16TB120SR-M3 | 1.5103 | ![]() | 9409 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.93 V @ 32 A | 135 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | PTV22B-E3/84A | - | ![]() | 8107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV22 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 17 V | 23.3 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBLB25L20CT-E3/81 | - | ![]() | 8913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB25L20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 12.5a | 490 MV @ 12.5 A | 900 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
DZ23C7V5-HE3_A-18 | - | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C7V5-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios |
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