SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SB350-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB350-E3/54 0.5900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB350 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 680 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
30CTH02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CTH02 -
RFQ
ECAD 8656 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 30cth Estándar Un 220-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *30CTH02 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 1.05 v @ 15 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
RGP5100HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100HE3/73 -
RFQ
ECAD 6252 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Axial RGP51 Estándar Axial - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V - 500mA -
FESF16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16JT-E3/45 2.1000
RFQ
ECAD 998 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada FESF16 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VLZ24-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ24-GS08 -
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ24 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 24 V 35 ohmios
AZ23B5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B5V6-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 9674 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B5V6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 1 par Ánodo Común 100 na @ 1 V 5.6 V 40 ohmios
BZT52C27-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2864 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C27 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 20 V 27 V 30 ohmios
S5MHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5MHE3/57T -
RFQ
ECAD 1684 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 5 a 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
BAS16WS-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS16WS-E3-08 0.2200
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS16 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
SA2J-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2J-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 3741 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sa2 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11PF @ 4V, 1MHz
BZT03D8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D8V2-TAP -
RFQ
ECAD 3378 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 6.1% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 600 µA @ 6.2 V 8.2 V 2 ohmios
BZT52B3V3-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-G3-18 0.0501
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52B3V3 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 3.3 V 80 ohmios
VS-VSKE71/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE71/14 36.5930
RFQ
ECAD 7691 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKE71 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vsvske7114 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 10 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C 80A -
20TQ035STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20TQ035Strl -
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 20TQ035 Schottky To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 570 MV @ 20 A 2.7 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
TZX8V2A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx8v2a-tap 0.0287
RFQ
ECAD 6685 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Cinta y Caja (TB) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx8v2 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 V 20 ohmios
GDZ24B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ24B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ24 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 19 V 24 V 120 ohmios
KBP08M-9E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08M-9E4/51 -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP08 Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
GDZ2V7B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V7B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ2V7 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 µA @ 1 V 2.7 V 110 ohmios
TZX24C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx24c-TR 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial TZX24 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 19 V 24 V 70 ohmios
SL43HE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL43HE3/57T -
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC SL43 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 420 MV @ 4 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 4A -
FES8HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fes8hthe3/45 -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Fes8 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
VS-4EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EWH02FN-M3 0.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 4ewh02 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-4EWH02FN-M3GI EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 4 A 20 ns 3 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
VS-25TTS16STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS16StrlPBF -
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 25TTS16 To-263ab (d²pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vs25tts16strlpbf EAR99 8541.30.0080 800 150 Ma 1.6 kV 25 A 2 V 300A @ 50Hz 45 Ma 1.25 V 16 A 500 µA Recuperación
VLZ10B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10B-GS18 -
RFQ
ECAD 4422 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ10 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 µA @ 8.94 V 9.66 V 8 ohmios
BZX84B27-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B27-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B27 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
W06G-E4/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division W06G-E4/1 -
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wog Estándar Montar descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
VI10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150S-M3/4W 0.5516
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI10150 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.2 v @ 10 a 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-16TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS08Strl-M3 1.1741
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 16TTS08 To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 800 150 Ma 800 V 16 A 2 V 200a @ 50Hz 60 Ma 1.4 V 10 A 10 Ma Recuperación
SS14HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14HE3_B/I 0.4500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 200 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT55A13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A13-GS18 -
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 BZT55 500 MW Césped-80 cuádromal - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock