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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GBU6C-E3/51	-	RFQ	4030	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar			Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250																1 v @ 6 a		5 µA @ 150 V		3.8 A			Fase única	150 V
Irku91/04a	-	RFQ	1222	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	Irku91			Ánodo Común: Todos los SCRS		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	400 V	150 A	2.5 V	1785a, 1870a	150 Ma		95 A												2 SCRS
Irkh162/14	-	RFQ	5750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Int-a-pak (3 + 2)	Irkh162			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irkh162/14	EAR99	8541.30.0080	3			200 MA	1.4 kV	355 A	2.5 V	4870a, 5100a	150 Ma		160 A												1 scr, 1 diodo
Mf10h100cthe3_b/p	0.9405	RFQ	9545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MF10H100	Schottky			ITO-220AB	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	5A	850 MV @ 10 A		3.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
GI817HE3/54	-	RFQ	8442	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI817	Estándar			DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
EGL34GHE3_A/H	-	RFQ	7692	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar			DO-213AA (GL34)	descascar			Alcanzar sin afectado	EGL34GHE3_B/H	EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ4714-E3-18	0.0360	RFQ	1591	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4714		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		10 na @ 25 V							33 V
BZX85C33-TAP	0.3800	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C33		1.3 W		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																		500 na @ 24 V							33 V	35 ohmios
BZG04-62-HM3-18	0.2079	RFQ	9178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-62		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 62 V							75 V
MBRF1060HE3_A/P	0.7095	RFQ	4158	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF106	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-MBRF1060HE3_A/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZX384B2V7-E3-18	0.0360	RFQ	3183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B2V7		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		20 µA @ 1 V							2.7 V	100 ohmios
SS12P2LHM3/87A	-	RFQ	5326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P2	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		560 MV @ 12 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	930pf @ 4V, 1MHz
82cnq030asl	-	RFQ	8493	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	82cnq	Schottky			D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	40A	550 MV @ 80 A		5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-ST1200C18K0P	288.5850	RFQ	4746	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A 200ac, K-PUK, A-24	ST1200				A-24 (K-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST1200C18K0P	EAR99	8541.30.0080	2			600 mA	1.8 kV	3080 A	3 V	25700A, 26900A	200 MA	1.73 V	1650 A	100 mA	Recuperación
BZG05B39-HM3-18	0.2079	RFQ	4916	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B39		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 30 V							39 V	50 ohmios
VS-6CWQ04FNTRHM3	1.0161	RFQ	9961	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ04	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS6CWQ04FNTRHM3	EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	40 V	3.5a	530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	150 ° C (Máximo)
GF1DHE3/5CA	-	RFQ	1296	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar			DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
RGP10DE-E3/91	-	RFQ	5707	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
PTV20B-E3/85A	-	RFQ	8488	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV20		600 MW		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 15 V							21.2 V	14 ohmios
1N4006E-E3/54	0.4800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4006	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZG05B9V1-M3-18	0.1980	RFQ	6419	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1.98%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B9V1		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V							9.1 V	5 ohmios
V6pwm60hm3/i	0.2508	RFQ	6511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky			Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V6PWM60HM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		630 MV @ 6 A		300 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	6A	780pf @ 4V, 1MHz
Ss3p4lhm3/87a	-	RFQ	9769	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss3p4	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		470 MV @ 3 A		250 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	280pf @ 4V, 1 MHz
BZX384B3V9-HE3-08	0.0378	RFQ	2148	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B3V9		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		3 µA @ 1 V							3.9 V	90 ohmios
MMBZ27VDA-E3-18	0.1040	RFQ	3821	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ27		225 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común															1.1 V @ 200 Ma		80 na @ 22 V							27 V
MBRB25H60CThe3_B/I	1.2614	RFQ	1013	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky			Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	15A	600 MV @ 15 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
V60100PW-M3/4W	-	RFQ	4870	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	V60100	Schottky			TO-3PW	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	30A	860 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BYM11-50-E3/97	0.1284	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
GDZ2V2B-HE3-18	0.0378	RFQ	9269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ2V2		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		120 µA @ 700 MV							2.2 V	100 ohmios
VS-31DQ10	-	RFQ	4645	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	31DQ10	Schottky			C-16	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		850 MV @ 3 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.3a	-