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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VSKH250-08	-	RFQ	9263	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKH250			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2		500 mA	800 V	555 A	3 V	8500A, 8900A	200 MA		250 A												1 scr, 1 diodo
VS-22RIA40	11.8406	RFQ	5111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22ria40				TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	100		130 Ma	400 V	35 A	2 V	400a, 420a	60 Ma	1.7 V	22 A	10 Ma	Recuperación
FESF16JT-E3/45	2.1000	RFQ	998	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	FESF16	Estándar			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
KBP08M-9E4/51	-	RFQ	1997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	KBP08	Estándar			KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600															1.3 V @ 1.57 A		5 µA @ 800 V		1.5 A			Fase única	800 V
BZT03D8V2-TAP	-	RFQ	3378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6.1%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000															1.2 V @ 500 Ma		600 µA @ 6.2 V							8.2 V	2 ohmios
RGL41A-E3/96	0.4600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SB350-E3/54	0.5900	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB350	Schottky			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		680 MV @ 3 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-4EWH02FN-M3	0.8200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	4ewh02	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-4EWH02FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		950 MV @ 4 A	20 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
VS-25TTS16StrlPBF	-	RFQ	9108	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-40 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25TTS16				To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs25tts16strlpbf	EAR99	8541.30.0080	800		150 Ma	1.6 kV	25 A	2 V	300A @ 50Hz	45 Ma	1.25 V	16 A	500 µA	Recuperación
TZM5241B-GS18	0.0303	RFQ	7127	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5241		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 8.4 V							11 V	22 ohmios
Tzx18c-tr	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX18		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 13 V							18 V	55 ohmios
1N5404-E3/51	-	RFQ	9959	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5404	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
MBRF2035CThe3/45	-	RFQ	2217	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF20	Schottky			ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	10A	650 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
V20PWL63CHM3/I	0.5051	RFQ	2485	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V20PWL63CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	10A	610 MV @ 10 A		180 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27C100P-M3-08	0.1733	RFQ	2032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C100		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 75 V							100 V	200 ohmios
VSKJ320-04	-	RFQ	9479	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	400 V	320A			50 mA @ 400 V
BZX84B27-E3-18	0.0324	RFQ	9247	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B27		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	50 na @ 18.9 V							27 V	80 ohmios
SML4744A-E3/5A	0.5000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4744		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																	5 µA @ 11.4 V							15 V	14 ohmios
GI856-E3/73	-	RFQ	6016	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI856	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.25 v @ 3 a	200 ns	10 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
V15kl45chm3/i	0.4901	RFQ	4879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KL45CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	5.6a	540 MV @ 7.5 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VLZ4V3B-GS08	-	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	Vlz4v3		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500															1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V							4.3 V	40 ohmios
AS3BG-M3/H	0.1634	RFQ	8543	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	AS3	Avalancha			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.05 v @ 3 a		20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
VS-61CTQ035PBF	-	RFQ	3792	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	61CTQ035	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS61CTQ035PBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	30A	610 MV @ 30 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MBR30H45CT-E3/45	-	RFQ	5452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		80 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKH320-16PBF	190.7000	RFQ	2545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Magn-a-pak (3)	VSKH320	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH32016PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	160A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GL41B/54	-	RFQ	5422	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
MMSZ4715-HE3-18	0.0378	RFQ	7250	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4715		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	10 na @ 27.3 V							36 V
SD103CW-G3-08	0.0612	RFQ	5144	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD103	Schottky			SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 10 V	-55 ° C ~ 150 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
VS-VSKH136/14PBF	71.3693	RFQ	9797	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Int-a-pak (3 + 4)	VSKH136			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKH13614PBF	EAR99	8541.30.0080	15		200 MA	1.4 kV	300 A	2.5 V	3200A, 3360A	150 Ma		135 A												1 scr, 1 diodo
MMBZ5241C-G3-08	-	RFQ	2466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5241		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	2 µA @ 8.4 V							11 V	22 ohmios