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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-40L15CTS-M3 | 2.3300 |  | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 40L15 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 410 MV @ 19 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||
 | MMSZ5258B-HE3-08 | 0.0378 | | 5139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||
| MMSZ5239C-G3-08 | 0.0483 | | 9046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5239 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZD27C30P-M3-18 | 0.1650 | | 6379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C30 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | SE20NDHM3/I | 0.4800 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | Estándar | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | MMBZ5237C-G3-18 | - | | 9980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5237 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Uh4pbchm3_a/i | 0.3816 | | 9973 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH4 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 21pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | 1N5235B-TAP | 0.2300 | | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5235 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Smaz5920b-e3/5a | 0.3900 | | 7558 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5920 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-12CWQ03FNTRL-M3 | 0.9200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 6A | 470 MV @ 6 A | 3 Ma @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||
| MMSZ5236C-G3-18 | 0.0483 | | 1482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | GLL4746-E3/97 | 0.2970 | | 5396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4746 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | AR1PGHM3/84A | 0.1914 | | 6183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 140 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12.5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | 1N5252C-TAP | 0.0288 | | 2042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5252 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMBZ4698-E3-18 | - | | 5293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4698 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 8.4 V | 11 V | ||||||||||||||||||||||
 | TZM5251C-GS18 | - | | 2623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5251 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | ||||||||||||||||||||
| VS-8etu04strRHM3 | 0.9655 | | 2220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 8etu04 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 43 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
 | PLZ30C-G3/H | 0.3100 | | 8306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ30 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 23 V | 30 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMSZ5256B-HE3-18 | 0.0378 | | 1822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | VS-VSKE71/08 | 35.5190 | | 1322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKE71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvske7108 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 10 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||||||||||
 | VLZ7V5A-GS08 | - | | 9143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ7V5 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 7.04 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-30BQ040PBF | - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 30BQ040 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||
| Tzx22b-TR | 0.0292 | | 3396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX22 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 17 V | 22 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||
| TZMB3V3-GS18 | 0.3100 | | 3341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmb3v3 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||
| PTV8.2B-M3/85A | 0.1721 | | 7531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV8.2 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 20 µA @ 5 V | 8.8 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||
| PTV11b-E3/84A | - | | 9478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV11 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 8 V | 11.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMSZ4704-HE3-08 | 0.0368 | | 1082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4704 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 12.9 V | 17 V | ||||||||||||||||||||||
| SML4744HE3_A/H | 0.1658 | | 8220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4744 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | VS-VSKL91/16 | 44.6410 | | 1992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKL91 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKL9116 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.6 kV | 210 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 95 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||
 | BY127MGP-E3/73 | - | | 3355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | BY127 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1250 V | 1.5 V @ 5 A | 2 µs | 5 µA @ 1250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.75a | - |
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