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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SE100PWTJHM3/I	1.0100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Estándar			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.14 v @ 10 a	2.6 µs	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.7a	78pf @ 4V, 1MHz
VS-ST083S12PFK0L	-	RFQ	9970	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	ST083				TO-209AC (TO-94)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST083S12PFK0L	EAR99	8541.30.0080	25			600 mA	1.2 kV	135 A	3 V	2060a, 2160a	200 MA	2.15 V	85 A	30 Ma	Recuperación
VS-72HF100	8.7623	RFQ	8338	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	72HF100	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS72HF100	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.35 V @ 220 A			-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
Irku41/08a	-	RFQ	4362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	Irku41			Cátodo Común: Todos SCRS		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	800 V	70 A	2.5 V	850a, 890a	150 Ma		45 A												2 SCRS
VS-25ria20	10.6623	RFQ	7211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria20				TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	100			130 Ma	200 V	40 A	2 V	420a, 440a	60 Ma	1.7 V	25 A	10 Ma	Recuperación
BZG03C130-M3-08	0.5000	RFQ	868	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.54%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C130		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 100 V					130 V	300 ohmios
VS-VSKV26/14	38.0270	RFQ	7962	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKV26			-		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKV2614	EAR99	8541.30.0080	10							-															-
BZX384C16-HE3-08	0.2600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C16		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		50 na @ 11.2 V					16 V	40 ohmios
VS-86HF100	14.7416	RFQ	9897	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	86HF100	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
AZ23C2V7-G3-08	0.0483	RFQ	5563	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C2V7		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																						2.7 V	83 ohmios
Byg20j-m3/tr3	0.1518	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg20	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.4 V @ 1.5 A	75 ns	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
TLZ20C-GS08	0.2500	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ20		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 18.3 V					20 V	28 ohmios
MMSZ4698-HE3_A-08	0.0533	RFQ	1435	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW		SOD-123	descascar				112-MMSZ4698-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000																900 MV @ 10 Ma		50 na @ 8.4 V					11 V
MBRF7H60HE3/45	-	RFQ	1464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF7	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
VS-P104W	38.4540	RFQ	3164	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	8 ritmo-pak	P104			Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1)		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			130 Ma	1 kV		2 V	357a, 375a	60 Ma														2 scr, 2 diodos
Byg22bhm3_a/i	0.2251	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
Bate46-tap	0.4300	RFQ	49	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAT46	Schottky			DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												100 V		1 V @ 250 Ma		5 µA @ 75 V	125 ° C (Máximo)	150 Ma	6pf @ 1v, 1 MHz
UF4001-M3/73	-	RFQ	9329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4001	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
MBRB15H50CT-E3/81	-	RFQ	3614	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky			To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	7.5a	730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRD660CT-M3	0.8100	RFQ	4509	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD660	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	3A	700 MV @ 3 A		100 µA @ 50 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETU3006FP-M3	1.7700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	ETU3006	Estándar			To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSETU3006FPM3	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2 V @ 30 A	45 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
6CWQ10FNTR	-	RFQ	5272	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ10	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	3.5a	810 MV @ 3 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C10-E3-18	0.0415	RFQ	3794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 7.5 V					10 V	15 ohmios
S1PB-M3/85A	0.0592	RFQ	9040	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	S1P	Estándar			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1 MHz
VSSAF522-M3/H	0.6800	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads		Schottky			DO-221AC (SLIMSMA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		900 MV @ 5 A		50 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	240pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5237C-G3-08	0.0483	RFQ	6504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5237		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		3 µA @ 6.5 V					8.2 V	8 ohmios
BZT52C30-HE3-08	0.0378	RFQ	1040	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C30		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 22.5 V					30 V	35 ohmios
Rs07k-m-18	0.1485	RFQ	4747	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Rs07	Estándar			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	50,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.3 V @ 1 A	300 ns	2 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-E5PH6006L-N3	3.2100	RFQ	949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	E5PH6006	Estándar			Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH6006L-N3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 60 A	54 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
GP02-40HM3/73	-	RFQ	2741	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												4000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz