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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Sblb1030cthe3/81	-	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	5A	550 MV @ 5 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C
AZ23B12-G3-08	0.0594	RFQ	6742	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B12		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 9 V				12 V	20 ohmios
ZMM5248B-7	-	RFQ	8330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	ZMM52		500 MW	Mini Melf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
Byd13kgphe3/54	-	RFQ	8080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VT2080S-M3/4W	0.6042	RFQ	8104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT2080	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT2080SM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												80 V		920 MV @ 20 A		700 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
GI508-E3/54	0.1709	RFQ	5423	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI508	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.1 V @ 9.4 A	2 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5233C-E3-08	-	RFQ	4668	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5233		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
BYM11-400-E3/96	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-30TPS16PBF	-	RFQ	3126	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	TO-247-3	30TPS16			To47ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30TPS16PBF	EAR99	8541.30.0080	25			150 Ma	1.6 kV	30 A	2 V	250A @ 50Hz	45 Ma	1.3 V	20 A	10 Ma	Recuperación
VS-MBRB745TRL-M3	0.5595	RFQ	1163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB745	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
25ctq035s	-	RFQ	3207	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*25CTQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V8K202DUHM3/I	0.3663	RFQ	6341	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak 5x6 (dual)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V8K202DUHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											2 Independientes	200 V	1.8a	920 MV @ 4 A		10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBRF15H45CThe3/45	-	RFQ	2550	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF15	Schottky		ITO-220AB	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VLZ30-GS18	-	RFQ	4511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ30		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma						30 V	55 ohmios
VS-88HF100	9.6567	RFQ	7100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	88HF100	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS88HF100	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
BZG05C12-HE3-TR	-	RFQ	7739	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
SML4752-E3/5A	0.1733	RFQ	8741	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4752		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 25.1 V				33 V	45 ohmios
SB560-E3/54	0.5900	RFQ	129	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB560	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		650 MV @ 5 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
ES2A-E3/5BT	0.1574	RFQ	9360	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2A	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		900 MV @ 2 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	18pf @ 4V, 1 MHz
8ews10strl	-	RFQ	6242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ews10	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 v @ 8 a		50 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZD17C22P-E3-08	0.1492	RFQ	2974	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD17C22		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16 V				22 V
VS-15ETL06-1PBF	-	RFQ	9242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	15etl06	Estándar		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.05 v @ 15 a	270 ns	10 µA @ 600 V	-	15A	-
CS2D-E3/H	-	RFQ	5374	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	CS2	Estándar		DO-214AA (SMB)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12PF @ 4V, 1MHz
VS-22RIA40	11.8406	RFQ	5111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22ria40			TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	100			130 Ma	400 V	35 A	2 V	400a, 420a	60 Ma	1.7 V	22 A	10 Ma	Recuperación
LL42-GS18	0.0733	RFQ	4277	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL42	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												30 V		650 MV @ 50 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
LL103A-GS08	0.4400	RFQ	6759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL103	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												40 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 30 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
VS-16CTQ060PBF	-	RFQ	1771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	16CTQ060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MPG06B-E3/54	0.4000	RFQ	4950	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
1N3293	-	RFQ	1082	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3293	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*1N3293	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.5 V @ 100 A		17 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 200 ° C	100A	-
SML4758HE3/5A	-	RFQ	1199	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4758		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios