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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V60DM120CHM3/I | 2.5800 |  | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V60DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 30A | 970 MV @ 30 A | 700 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
 | SS26-E3/52T | 0.4300 | | 239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
 | MMSZ4716-HE3-18 | 0.0378 | | 6246 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4716 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 na @ 29.6 V | 39 V | |||||||||||||
 | SBLB10L25HE3_B/I | 0.8580 | | 7273 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-SBLB10L25HE3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 25 V | 460 MV @ 10 A | 800 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
 | BZX84C15-HE3-18 | 0.0313 | | 9063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||
| MMBZ5259C-G3-08 | - | | 6614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5259 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||
 | VS-83CNQ100AMSPBF | - | | 7720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | D-61-8-SM | 83CNQ100 | Schottky | D-61-8-SM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS83CNQ100AMSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 40A | 810 MV @ 40 A | 1.5 Ma @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
 | 1N4944GPHE3/73 | - | | 5508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4944 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
 | Gp10ye-m3/54 | - | | 7880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BZT03D220-TAP | - | | 8530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5.68% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 750 ohmios | |||||||||||
 | Smaz5938b-m3/5a | 0.1073 | | 2753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5938 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||
| Smaz5934b-e3/5a | 0.1150 | | 8231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5934 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||
 | ESH3CHE3/57T | - | | 4194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ESH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
| ES3D/7T | - | | 5221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 12TQ045Strl | - | | 9008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||
 | VS-112CNQ030APBF | - | | 6365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-61-8 | 112CNQ030 | Schottky | D-61-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 55a | 490 MV @ 55 A | 3.5 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | SS2P3L-M3/85A | 0.1363 | | 9033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 2 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | VS-UFB130FA40 | 20.5700 | | 303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | UFB130 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 65a (DC) | 1.37 v @ 60 a | 86 ns | 50 µA @ 400 V | ||||||||||
 | MCL4151-TR | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | MCL4151 | Estándar | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
| SMAZ5932B-E3/61 | 0.1219 | | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5932 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||||
| S5G-E3/57T | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5G | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| ESH2C-M3/5BT | 0.1257 | | 6655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ESH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 930 MV @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| VS-S671C | - | | 1723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-S671C | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| VSSAF5M12-M3/I | 0.1238 | | 9121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS®, SLIMSMA ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SAF5M12 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 890 MV @ 5 A | 350 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 5A | 420pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| MCL101A-TR3 | 0.0712 | | 4180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | MCL101 | Schottky | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 30mera | - | ||||||||||
 | BZD27B100P-E3-18 | 0.1050 | | 1987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B100 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohmios | |||||||||||
 | VS-10CSH01-M3/87A | 0.2970 | | 4797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 10CSH01 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 980 MV @ 5 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
| BZG05B82-E3-TR | - | | 6967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||||
| BZT52C13-HE3_A-08 | 0.0533 | | 5105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52C13-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
 | TZM5243C-GS18 | - | | 9415 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5243 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios |
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