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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rs1bhe3_a/h | 0.1022 |  | 5974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs1b | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| SML4731AHE3/5A | - | | 5360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4731 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||
 | BZT03C100-TR | 0.6400 | | 4221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C100 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohmios | ||||||||||||
 | AZ23B47-E3-08 | 0.0509 | | 4439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B47 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 35 V | 47 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | SE70PBHM3_A/H | 0.4125 | | 9592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SE70 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.9a | 76pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | SS1P5L-M3/84A | 0.4200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 590 MV @ 1 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-71HFR100 | 10.6173 | | 1011 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 71HFR100 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.35 V @ 220 A | 9 Ma @ 1000 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | |||||||||||
 | ZMY47-GS08 | 0.4200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZMY47 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 35 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||
 | BZT52B24-E3-18 | 0.0415 | | 2840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B24 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||
| SS2P2-M3/84A | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SS2P2 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 2 A | 150 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
 | BZD27C11P-M-18 | - | | 6102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||
 | VX40M120CHM3/P | 1.1303 | | 5400 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VX40M120CHM3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 840 MV @ 20 A | 550 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
 | MBRF20H150CT-E3/45 | - | | 4823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF20 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 900 MV @ 10 A | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
 | VLZ9V1-GS18 | - | | 5624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ9V1 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 9.1 V | 8 ohmios | |||||||||||||
 | GP10ME-M3/73 | - | | 1981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| AZ23C20-G3-18 | 0.0483 | | 2281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C20 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| BZG03B270-M3-18 | 0.2228 | | 4536 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B270 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 200 V | 270 V | 1000 ohmios | ||||||||||||
 | V6WL45C-M3/I | - | | 8771 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V6WL45 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 3A | 520 MV @ 3 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
| VS-42HFR140 | 9.2359 | | 1046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 42HFR140 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS42HFR140 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.5 V @ 125 A | -65 ° C ~ 160 ° C | 40A | - | |||||||||||
 | 1N5398-E3/73 | - | | 7602 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5398 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-VSKJ71/10 | 40.8800 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKJ71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1000 V | 40A | 10 Ma @ 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
 | LL41-GS08 | 0.4700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL41 | Schottky | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 200 Ma | 100 na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
| S1PDHM3/85A | 0.0754 | | 4768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | V6PWM45-M3/I | 0.5700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 580 MV @ 6 A | 50 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | 990pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| VS-15MQ040-M3H/I | - | | 9425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 15MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-15MQ040-M3H/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2.1a | 134pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
| SL04-HM3-08 | 0.4000 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SL04 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 540 MV @ 1.1 A | 10 ns | 20 µA @ 40 V | 175 ° C (Máximo) | 1.1a | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| BYD33MGP-E3/54 | - | | 3291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BYD33 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| VFT4060C-M3/4W | 1.2598 | | 6705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VFT4060 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 620 MV @ 20 A | 6 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | SB2H100-E3/54 | 0.5100 | | 80 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SB2H100 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 790 MV @ 2 A | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | |||||||||||
 | VS-1N1203RA | - | | 7039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1203 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.35 v @ 12 a | 1.75 Ma @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - |
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