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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
RGP02-20E-M3/73	-	RFQ	6316	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												2000 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
VS-12CWQ06FNTRRPBF	-	RFQ	3079	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ06	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	6A	610 MV @ 6 A		3 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-65APS16LHM3	5.6200	RFQ	8070	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	65APS16	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.17 V @ 65 A		100 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	65a	-
SS12HE3_A/I	-	RFQ	8806	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS12	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
VS-80TPS16L-M3	6.5200	RFQ	5809	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	80TPS16			Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-80TPS16L-M3	EAR99	8541.30.0080	25		200 MA	1.6 kV	126 A	1.5 V	1ka @ 50Hz	100 mA	1.66 V	80 A	200 µA	Recuperación
BAT54WS-HE3-08	0.4000	RFQ	41	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAT54	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												30 V		800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
89CNQ135Asl	-	RFQ	4703	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	89cnq	Schottky		D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*89CNQ135Asl	EAR99	8541.10.0080	20	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	135 V	40A	990 MV @ 40 A		1.5 Ma @ 135 V	-55 ° C ~ 175 ° C
SSA34HE3_A/H	0.5000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		490 MV @ 3 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
Ss34hm3_a/i	0.2424	RFQ	4026	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SS34HM3_A/ITR	EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-30CTH02Strl-M3	1.5400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTH02	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N5617GPHE3/54	-	RFQ	2636	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5617	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.2 v @ 1 a	150 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
SML4750HE3_A/I	0.2063	RFQ	5959	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4750		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																	5 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
SS3H9HE3_A/H	-	RFQ	9371	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SS3H9	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												90 V		800 MV @ 3 A		20 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
V30DL45BP-M3/I	1.0500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V30DL45	Schottky		SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		650 MV @ 30 A		3 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
VS-MBR745PBF	-	RFQ	9109	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR7	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
BZT52C33-G3-18	0.0409	RFQ	2291	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C33		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 25 V				33 V	40 ohmios
V12pm10hm3/h	0.9300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12pm10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		750 MV @ 12 A		200 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
SMBZ5926B-M3/5B	0.1906	RFQ	1662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5926		550 MW	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200															1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
BZX384C51-E3-08	0.0324	RFQ	5147	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C51		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
GDZ6V2B-G3-08	0.0445	RFQ	4648	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ6V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	1 µA @ 3 V				6.2 V	60 ohmios
VLZ30B-GS18	-	RFQ	3537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ30		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 26.3 V				28.42 V	55 ohmios
MBRB20100CT-M3/8W	1.0225	RFQ	7810	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Egl34ghe3_a/i	-	RFQ	5628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar			Alcanzar sin afectado	Egl34ghe3_b/i	EAR99	8541.10.0070	9,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
SSC54-E3/9AT	0.5900	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SSC54	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		490 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
SML4756A-E3/5A	0.5000	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4756		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																	5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
VS-16CTQ080StrrPBF	-	RFQ	9769	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS16CTQ080StrrPBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	80 V	8A	880 MV @ 16 A		550 µA @ 80 V	175 ° C (Máximo)
By228gphe3/54	-	RFQ	9318	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY228	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1500 V		1.6 V @ 2.5 A	20 µs	5 µA @ 1500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2.5a	40pf @ 4V, 1 MHz
VS-22RIA120M	17.1757	RFQ	3353	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	22ria120			TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs22ria120m	EAR99	8541.30.0080	100		130 Ma	1.2 kV	35 A	2 V	335A, 355A	60 Ma	1.7 V	22 A	10 Ma	Recuperación
BZM55C2V7-TR3	0.0368	RFQ	8040	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C2V7		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				2.7 V	600 ohmios
VS-42HFR100	6.5000	RFQ	4209	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	42HFR100	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS42HFR100	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.3 V @ 125 A			-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-