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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MMBZ5227B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227B-HE3-18 -
RFQ
 ECAD 5356 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
FEP16DT-33HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16DT-33HE3/45 -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 FEP16 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 16A 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B3V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V6-E3-08 0.2400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX84 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B3V6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12STR-M3 3.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 8EWF12 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 8 A 270 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 8A -
RS1D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1d-m3/5at 0.0682
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
GI504-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI504-E3/54 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial GI504 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 9.4 A 2 µs 5 µA @ 400 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
AS4PG-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PG-M3/87A 0.3036
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AS4 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2266-as4pg-m3/87a EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 962 MV @ 2 A 1.8 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
EGF1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egf1dhe3_a/i -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214BA EGF1 Estándar DO-214BA (GF1) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 2 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
VS-8EWF12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12STRL-M3 2.0160
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 8EWF12 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS8EWF12STRLM3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 8 A 270 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 8A -
MMBZ5238C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5238C-E3-18 -
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5238 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
VB40150C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40150C-M3/8W 1.1171
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB40150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 1.36 v @ 15 a 200 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
UF4001-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4001-E3/73 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4001 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
VS-90SQ040TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-90SQ040TR -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204ar, axial 90SQ040 Schottky Do-204ar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 480 MV @ 9 A 1.75 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 9A -
VS-150KSR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS -50KSR20 37.3628
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre Chasis, Soporte de semento B-42 150ksr20 Polaridad Inversa Estándar B-42 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.33 v @ 471 a 35 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
NSF8GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsf8gthe3/45 -
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada NSF8 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
VS-62CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-62CTQ030-M3 2.7600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 62CTQ030 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 30A 600 MV @ 60 A 2.5 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C
ESH2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Esh2d-e3/52t 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ESH2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 2 A 35 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
SMBZ5933B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5933B-E3/52 0.1676
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBZ5933 3 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
ZMM5247B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5247B-7 -
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA ZMM52 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
BZT03C110-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C110-TAP 0.6400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Cinta de Corte (CT) Activo ± 5.45% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03C110 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 82 V 110 V 250 ohmios
VS-ST330S04P0PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330S04P0PBF 189.3367
RFQ
 ECAD 7959 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-209AE, TO-118-4, Stud ST330 TO-209AE (TO-118) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSST330S04P0PBF EAR99 8541.30.0080 6 600 mA 400 V 520 A 3 V 7570a, 7920a 200 MA 1.52 V 330 A 50 Ma Recuperación
VS-VSKN91/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN91/10 42.6330
RFQ
 ECAD 6553 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKN91 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKN9110 EAR99 8541.30.0080 10 250 Ma 1 kV 210 A 2.5 V 2000a, 2094a 150 Ma 95 A 1 scr, 1 diodo
AU2PJHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au2pjhm3_a/i 0.4950
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Au2 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.9 v @ 2 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 42pf @ 4V, 1 MHz
SBLB1040HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1040HE3/45 -
RFQ
 ECAD 3424 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBLB1040 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 10 A 1 ma @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A -
1N6479HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479HE3/97 -
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N6479 Estándar DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N6479HE3_A/I EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SD101C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101C-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial SD101 Schottky DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 900 MV @ 15 Ma 200 na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 30mera 2.2pf @ 0V, 1MHz
VB20M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20M120CHM3/I -
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB20M Schottky Un 263ab descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 10A 910 MV @ 10 A 700 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
FESF16CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesf16cthe3_a/p 1.3200
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada FESF16 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-15MQ040NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15MQ040NPBF -
RFQ
 ECAD 9420 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA 15MQ040 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 2 A 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.5a 134pf @ 10V, 1 MHz
MMSZ5233B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5233B-G3-08 0.0409
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5233 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 3.5 V 6 V 7 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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