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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-HFA30PA60CPBF	-	RFQ	3510	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	HFA30	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	15a (DC)	1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RS1PJ-M3/84A	0.0869	RFQ	9147	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Rs1p	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
GI1403-E3/45	0.5298	RFQ	1781	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	GI1403	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
S1flj-GS08	0.3400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	S1F	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	700mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-30etU12T-N3	-	RFQ	2438	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	30etu12	Estándar		TO20AC	-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														2.68 V @ 30 A	220 ns	145 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
MBRB10H90CThe3/45	-	RFQ	2242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												90 V		760 MV @ 5 A		3.5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BYM12-50-E3/97	0.1487	RFQ	6885	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	BYM12	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
BZT03C12-TR	0.7000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.42%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C12		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000															1.2 V @ 500 Ma		3 µA @ 9.1 V				12 V	7 ohmios
1N5062GPHE3/73	-	RFQ	4249	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5062	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX384B6V2-HE3-18	0.0378	RFQ	2424	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B6V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	3 µA @ 4 V				6.2 V	10 ohmios
VS-40TPS08APBF	-	RFQ	2499	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	A Través del Aguetero	TO-247-3	40TPS08			To47ac	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25		150 Ma	800 V	55 A	2.5 V	600A @ 50Hz	150 Ma	1.85 V	35 A	500 µA	Recuperación
SS12HE3_B/H	0.4300	RFQ	4217	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS12	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
MMBZ5244B-HE3-08	-	RFQ	7361	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5244		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 10 V				14 V	15 ohmios
20etf02fp	-	RFQ	8659	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	20etf02	Estándar		To20ac paqueto entero	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*20etf02fp	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 20 A	160 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
SMZJ3793A-E3/52	-	RFQ	1180	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750																	5 µA @ 11.4 V				15 V	9 ohmios
VS-80-7530	-	RFQ	6376	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7530				-				112-VS-80-7530			1
VS-ET1506Strl-M3	1.5500	RFQ	3304	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	ETH1506	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		2.45 V @ 15 A		15 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
1N3291RA	-	RFQ	3487	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3291	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*1N3291RA	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.5 V @ 100 A		24 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 200 ° C	100A	-
VS-80-7584	-	RFQ	1248	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7584				-				112-VS-80-7584			1
BZX384C68-G3-18	0.0389	RFQ	4726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C68		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	50 na @ 47.6 V				68 V	240 ohmios
MMSZ4691-E3-08	0.2700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4691		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	10 µA @ 5 V				6.2 V
RGP25BHE3/54	-	RFQ	6316	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	RGP25	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 2.5 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2.5a	60pf @ 4V, 1MHz
VS-403CNQ100PBF	47.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	403CNQ100	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	200a	840 MV @ 200 A		6 Ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
SS12-M3/61T	0.0891	RFQ	6672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS12	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
VS-30CTQ100GSPBF	-	RFQ	6088	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30ctq100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS30CTQ100GSPBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	15A	1.05 V @ 30 A		550 µA @ 100 V	175 ° C (Máximo)
VS-2EQH02-M3/H	0.3900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	2EQH02	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.05 v @ 2 a	23 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	6pf @ 200V
BZX85C18-TR	0.3800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C18		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																	500 na @ 13 V				18 V	20 ohmios
SMAZ5920B-M3/61	0.1073	RFQ	2366	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5920		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800															900 MV @ 10 Ma		200 µA @ 4 V				6.2 V	2 ohmios
Ugb8cthe3_a/p	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Smzj3797bhe3_b/h	0.1508	RFQ	1612	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3797		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SMZJ3797BHE3_B/H	EAR99	8541.10.0050	750																	5 µA @ 16.7 V				22 V	17.5 ohmios