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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-70HFL100S05M	22.8068	RFQ	8397	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL100	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFL100S05M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.85 V @ 219.8 A	500 ns		-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
VS-VSKD56/16	36.0820	RFQ	8849	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD5616	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	1600 V	30A			10 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SD101BW-HE3-18	0.0534	RFQ	5492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD101	Schottky			SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												50 V		950 MV @ 15 Ma	1 ns	200 na @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	30mera	2.1pf @ 0V, 1MHz
GP10GEHE3/91	-	RFQ	7767	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
MMBZ4687-HE3-08	-	RFQ	9666	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4687		350 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	4 µA @ 2 V					4.3 V
EGP10G-M3/73	-	RFQ	6924	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-EPU3006LHN3	1.6695	RFQ	4143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	EPU3006	Estándar			Un 247ad	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2 V @ 30 A	45 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-ST183C08CFL1	71.9533	RFQ	6449	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST183				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST183C08CFL1	EAR99	8541.30.0080	12		600 mA	800 V	690 A	3 V	4120a, 4310a	200 MA	1.8 V	370 A	40 Ma	Recuperación
1N4946GP-M3/54	-	RFQ	8038	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4946	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VFT6045CBP-M3/4W	2.9600	RFQ	899	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VFT6045	Schottky			ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	30A	640 MV @ 30 A		3 Ma @ 45 V	200 ° C (Max)
VS-P403	39.4490	RFQ	2124	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	8 ritmo-pak	P403			Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1)		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSP403	EAR99	8541.30.0080	10		130 Ma	800 V	40 A	2 V	385a, 400a	60 Ma														2 scr, 2 diodos
V20M100M-E3/4W	0.5145	RFQ	4782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V20M100	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	10A	1.02 v @ 10 a		500 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
V2PM15LHM3/H	0.4600	RFQ	6039	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PM15	Schottky			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		760 MV @ 1 A		100 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1.7a	110pf @ 4V, 1MHz
Byd13dgphe3/54	-	RFQ	1190	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V					-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
FEP16CT-5001HE3/45	-	RFQ	1139	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	FEP16	Estándar			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	16A	1.3 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX55F6V2-TR	-	RFQ	2306	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW		Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 2 V					6.2 V	10 ohmios
P300K-E3/73	-	RFQ	8093	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	P300	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 v @ 3 a	2 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
BAV20WS-HE3-08	0.3100	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	Bav20	Estándar			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
V20PWM12CHM3/I	1.0900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM12	Schottky			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	10A	920 MV @ 10 A		300 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-20CDH02HM3/I	1.5500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	20CDH02	Estándar			TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	10A	1.05 v @ 10 a	25 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VFT3045BP-M3/4W	1.6300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	VFT3045	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VFT3045BPM34W	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		700 MV @ 30 A		2 Ma @ 45 V	200 ° C (Max)	30A	-
BZX384C7V5-E3-18	0.0324	RFQ	7478	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C7V5		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	1 µA @ 5 V					7.5 V	15 ohmios
BY251P-E3/73	-	RFQ	4485	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY251	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												200 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
MURS120HE3_A/H	0.1815	RFQ	4602	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs120	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
BZT03C15-TR	0.6800	RFQ	31	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C15		1.3 W		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 11 V					15 V	10 ohmios
BYM11-100-E3/96	0.4300	RFQ	130	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar			DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C7V5P-HE3-18	0.1520	RFQ	7880	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C7V5		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		50 µA @ 3 V					7.5 V	2 ohmios
MURS360S-E3/5BT	0.5200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs360	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.45 v @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
Tzx2v7c-tr	0.2400	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX2V7		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 500 MV					2.7 V	100 ohmios
BZD27B47P-HE3-18	0.1238	RFQ	5587	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B47		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 36 V					47 V	45 ohmios