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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VLZ20D-GS18 | - |  | 1322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ20 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 17.1 V | 20.22 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | VS-96-1087PBF | - | | 8467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRKC166/16 | - | | 8672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | Irkc166 | Estándar | Módulo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRKC166/16 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1600 V | 165a | 20 Ma @ 1600 V | |||||||||||||||||||||||
 | SS8P5CHM3/86A | - | | 9292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS8P5 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 4A | 700 MV @ 4 A | 50 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | SBLB1640CThe3_A/P | - | | 6465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1640 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SBLB1640CThe3_B/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 8A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||
 | BZD27B160P-M3-18 | 0.1155 | | 9382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b-m | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B160 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 130 V | 160 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | GP10-4003HM3/73 | - | | 7787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | MMBZ5250C-E3-08 | - | | 5693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX384C5V6-HE3-18 | 0.2600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C5V6 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| VS-ST203C12CFJ1 | 90.2883 | | 3877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A-200ab, A-PUK | ST203 | A-200ab, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST203C12CFJ1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.2 kV | 700 A | 3 V | 4420a, 4630a | 200 MA | 1.72 V | 370 A | 40 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||
 | VS-25TTS12STRRPBF | - | | 8895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25TTS12 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 150 Ma | 1.2 kV | 25 A | 2 V | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1.25 V | 16 A | 500 µA | Recuperación | |||||||||||||||||||
| 1N3957GP-E3/73 | - | | 1548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3957 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
| VS-88-5067 | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 88-5067 | - | 112-VS-88-5067 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMZJ3791B-E3/52 | 0.1546 | | 4821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3791 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| 1N444448WS-HE3-08 | 0.2700 | | 42 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 720 MV @ 5 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | |||||||||||||||||||||
 | GLL4737A-E3/97 | 0.3168 | | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4737 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | MPG06D-E3/54 | 0.4000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | Mpg06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
 | VS-VSKL26/10 | 36.6380 | | 8590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKL26 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKL2610 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||
| MMBZ5239C-HE3-18 | - | | 3826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5239 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Ug8gthe3/45 | - | | 3997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UG8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||
| VS-C04ETOTT-M3 | - | | 2130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 112-VS-C04ETOTT-M3 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V8P12-M3/87A | 0.3630 | | 4420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8P12 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 840 MV @ 8 A | 300 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
 | PLZ4V3A-G3/H | 0.2800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ4V3 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.17 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4704-HE3-08 | 0.0368 | | 1082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4704 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 12.9 V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||
| BZX85C3V3-TR | 0.3800 | | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C3V3 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 40 µA @ 1 V | 3.3 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| MBRB4045CTTRL | - | | 4799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB40 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 600 MV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | BZG03C220TR | - | | 1248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg03c | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 750 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| EGP10FE-E3/54 | - | | 6691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Egp10fe | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | 1 (ilimitado) | 112-EGP10FE-E3/54TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
| VB30100S-M3/4W | 0.8804 | | 7544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB30100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 910 MV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||
 | 1N5261C-TAP | 0.0288 | | 9293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5261 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios |
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