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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-S1076	-	RFQ	4639	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1076					-				112-VS-S1076			1
BZX84C3V0-HE3-08	0.0323	RFQ	9330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V0		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		10 µA @ 1 V												3 V	95 ohmios
Z4ke170-E3/54	-	RFQ	5406	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Z4ke170		1.5 W		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5.500																		500 na @ 122.4 V												170 V	1200 ohmios
VS-VS24DLR12LS15	-	RFQ	8944	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24					-				112-VS-VS24DLR12LS15			1
VS-80-7371	-	RFQ	1452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7371					-				112-VS-80-7371			1
V1fl45-m3/i	0.0592	RFQ	5163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V1FL45	Schottky			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V1FL45-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		530 MV @ 1 A		250 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	190pf @ 4V, 1MHz
BY500-100-E3/54	-	RFQ	6681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY500	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.35 v @ 5 a	200 ns	10 µA @ 100 V	125 ° C (Máximo)	5A	28pf @ 4V, 1MHz
PLZ20A-G3/H	0.3200	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ20		500 MW		DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500																900 MV @ 10 Ma		200 na @ 15 V												20 V	28 ohmios
VS-VS24ASR04M	-	RFQ	4273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS24					-				112-VS-VS24Asr04m			1
MMBZ5247B-E3-08	-	RFQ	2403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5247		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 13 V												17 V	19 ohmios
MMSZ4705-E3-18	0.0360	RFQ	5992	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4705		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 13.6 V												18 V
UG10DCThe3/45	-	RFQ	8996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG10	Estándar			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
RGP10ME-M3/73	-	RFQ	9084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-MURD620CTTRLPBF	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Murd620	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	3A	1 v @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-10CTQ150-M3	1.1700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	10ctq150	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 10 a		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4686-HE3-18	0.0378	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4686		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		5 µA @ 2 V												3.9 V
VS-80-1320PBF	-	RFQ	7492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto					VS-80					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		112-VS-80-1320PBF	EAR99	8541.10.0080	25
DF06SA-E3/45	0.6600	RFQ	6060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF06	Estándar			DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50																1.1 v @ 1 a		5 µA @ 600 V		1 A						Fase única	600 V
GP02-40HE3/73	-	RFQ	7484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												4000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
VS-10ETF06SLHM3	2.0700	RFQ	135	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf06	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Ar1fg-m3/i	0.4500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 1 a	140 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12.6pf @ 4V, 1MHz
1N4762A-TAP	-	RFQ	4218	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4762		1.3 W		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V												82 V	200 ohmios
V8P22-M3/H	0.7500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky			TO77A (SMPC)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		900 MV @ 8 A		100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.9a	440pf @ 4V, 1MHz
Ss3p4lhm3_a/i	0.2393	RFQ	7820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss3p4	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		470 MV @ 3 A		250 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-ST230C14C1L	74.7233	RFQ	7366	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST230				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST230C14C1L	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.4 kV	780 A	3 V	4800A, 5000A	150 Ma	1.69 V	410 A	30 Ma	Recuperación
VS-ST1230C16K0P	293.1900	RFQ	6216	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A 200ac, K-PUK, A-24	ST1230				A-24 (K-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST1230C16K0P	EAR99	8541.30.0080	2			600 mA	1.6 kV	3200 A	3 V	28200A, 29500A	200 MA	1.62 V	1745 A	100 mA	Recuperación
VS-GT75YF120NT	139.9800	RFQ	108	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Caja	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo			431 W	Estándar	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-GT75YF120NT	EAR99	8541.29.0095	12	Puente completo																					Parada de Campo de Trinchera	1200 V	118 A	2.6V @ 15V, 75a			100 µA	Si
BZX55B43-TR	0.0271	RFQ	7322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B43		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V												43 V	90 ohmios
AZ23B39-HE3-08	0.0534	RFQ	8773	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B39		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 29 V												39 V	90 ohmios
TZQ5234B-GS18	0.0303	RFQ	1191	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5234		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 4 V												6.2 V	7 ohmios