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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
AR3PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PM-M3/86A 0.8100
RFQ
 ECAD 3723 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AR3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 3 a 120 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 34pf @ 4V, 1MHz
FEP6AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6AT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Fep6 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 6A 975 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ4696-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4696-HE3-08 -
RFQ
 ECAD 9468 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4696 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 1 µA @ 6.9 V 9.1 V
VS-MUR820-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR820-M3 0.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MUR820 Polaridad Inversa Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
MBR25H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR25 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 640 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-16RIA120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16ria120m 17.1757
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -65 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AA, TO-48-3, Stud 16ria120 TO-208AA (TO-48) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS16ria120m EAR99 8541.30.0080 100 130 Ma 1.2 kV 35 A 2 V 285a, 300a 60 Ma 1.75 V 16 A 10 Ma Recuperación
TZMC56-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC56-GS18 0.0303
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC56 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 43 V 56 V 135 ohmios
SS8P4CHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss8p4chm3_a/i 0.2640
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Ss8p4 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 4A 580 MV @ 4 A 300 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
FEPE16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fepe16ct-e3/45 -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Fepe16 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5391-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5391-E3/54 0.0490
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5391 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 50 V -50 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
MBRF10H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H60-E3/45 -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada MBRF10 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
GPP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP10A-E3/73 -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GPP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMZJ3805AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3805AHE3/5B -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ38 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
ZM4755A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4755A-GS08 0.3900
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) ZM4755 1 W DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 5 µA @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
TZX12B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx12b-TR 0.2300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial TZX12 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 9.5 V 12 V 35 ohmios
MBR1660HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1660HE3/45 -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR16 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 16 A 1 ma @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-303URA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-303ura160 -
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 303ura160 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS303ura160 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C 330A -
TZM5230F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5230F-GS18 -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto - 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5230 500 MW Sod-80 mínimo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 V 1900 ohmios
MMSZ4686-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4686-E3-08 0.2700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4686 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 2 V 3.9 V
FEP16ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fep16athe3/45 -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 FEP16 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
UGF10BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10BCThe3_A/P -
RFQ
 ECAD 8522 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF10 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
BZT03C270-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C270-TR 0.6400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT03 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.04% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sod-57, axial BZT03C270 1.3 W Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 200 V 270 V 1000 ohmios
MMSZ5239C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5239C-E3-08 0.3200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5239 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
VSKTF180-12HJ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKTF180-12HJ -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis 3-MAGN-A-PAK ™ VSKTF180 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 600 mA 1.2 kV 400 A 3 V 7130a, 7470a 200 MA 180 A 2 SCRS
IRKH41/10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkh41/10a -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 2) Irkh41 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1 kV 100 A 2.5 V 850a, 890a 150 Ma 45 A 1 scr, 1 diodo
VSKL250-14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKL250-14 -
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis 3-MAGN-A-PAK ™ VSKL250 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 500 mA 1.4 kV 555 A 3 V 8500A, 8900A 200 MA 250 A 1 scr, 1 diodo
MURB1020CT-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUrB1020CT-1 -
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Murb1020 Estándar Un 262-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *MUrB1020CT-1 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 990 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -
VB40150C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40150C-M3/8W 1.1171
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB40150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 1.36 v @ 15 a 200 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
GP10MHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHE3/73 -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
VS-16FR120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR120M 11.1100
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 16FR120 Polaridad Inversa Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS16FR120M EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.23 V @ 50 A -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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