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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | BZD27C27P-M-18 | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-25TTS12STRLPBF | - | ![]() | 3503 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25TTS12 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 150 Ma | 1.2 kV | 25 A | 2 V | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1.25 V | 16 A | 500 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||
DZ23C6V2-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 3179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | UG1C-M3/54 | 0.0997 | ![]() | 1714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UG1 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-80PFR140W | 5.2553 | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 80pFr140 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS80PFR140W | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.46 V @ 220 A | -55 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-87HFR10 | 8.7170 | ![]() | 3744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 87HFR10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS87HFR10 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 V @ 267 A | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Byg10dhm3_a/i | 0.1551 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg10 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||
BZX84C24-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C24 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3797AHE3/52 | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST303S08PFL1P | 229.3500 | ![]() | 5637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AE, TO-118-4, Stud | ST303 | TO-209AE (TO-118) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST303S08PFL1P | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 mA | 800 V | 471 A | 3 V | 6690a, 7000A | 200 MA | 2.16 V | 300 A | 50 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||
![]() | SML4764AHE3/5A | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4764 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Es3fhe3_a/h | 0.3392 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ES3F | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SS13HM3_B/H | 0.0884 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-SS13HM3_B/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4948GP-M3/73 | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4948 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BZM55C16-TR3 | 0.0368 | ![]() | 6293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55C16 | 500 MW | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | BA159GPEHE3/53 | - | ![]() | 8531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BA159 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
DZ23C3V0-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 1176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005GPHM3/73 | - | ![]() | 9860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4005 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-85HFLR10S02 | 9.8065 | ![]() | 1846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 85HFLR10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.75 V @ 266.9 A | 200 ns | 100 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-15EWL06FN-M3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15EWL06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 15 a | 220 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | V30DM45CHM3/I | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V30DM45 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 600 MV @ 15 A | 700 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Smaz5931b-e3/61 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5931 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS30EDR04L | - | ![]() | 9257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS30 | - | 112-VS-VS30EDR04L | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS5P10HM3/86A | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 680 MV @ 5 A | 15 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | V12p15-m3/i | 0.3300 | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V12p15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 12 a | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | V20PWL63C-M3/I | 0.4133 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V20PWL63C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 610 MV @ 10 A | 180 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-60CTQ150PBF | - | ![]() | 9132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 60ctq150 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 30A | 880 MV @ 30 A | 75 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | EGP30GHE3/54 | - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5242B-T | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5242 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 600 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10BE-E3/53 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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