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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | VS-3EYH01HM3/I | 0.5400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3eyh01 | Estándar | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 3 A | 30 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FGP50che3/73 | - | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | FGP50 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TZM5251C-GS18 | - | ![]() | 2623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5251 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | GF1MHE3/5CA | - | ![]() | 8768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | GF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GP10-4004EHE3/53 | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
MMBZ4691-G3-08 | - | ![]() | 8941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4691 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-10ETF06THM3 | 1.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 10etf06 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZG03B39-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B39 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB2080CTHM3 | 0.9063 | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB2080 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWS08S-M3 | 4.3300 | ![]() | 2567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ews08 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-8EWS08S-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 50 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZD27B12P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b-m | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CPF02PBF | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 30CPF02 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.41 v @ 30 a | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 15CTQ035Strr | - | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 7.5a | 550 MV @ 7.5 A | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | BZD17C27P-E3-08 | 0.1356 | ![]() | 4750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | VBT3045BP-E3/4W | 1.4700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT3045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VBT3045BPE34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 700 MV @ 30 A | 2 Ma @ 45 V | 200 ° C (Max) | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | PLZ3V6B-G3/H | 0.2800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.29% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ3V6 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.72 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C240-HM3-08 | 0.5200 | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.83% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C240 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 180 V | 240 V | 850 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C110P-HE3-08 | 0.4500 | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C110 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 82 V | 110 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C20-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C20 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ040-1PBF | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 15CTQ040 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS15CTQ0401PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 800 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||
HFA140NH60 | - | ![]() | 8980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-67 Half-Pak | HFA140 | Estándar | D-67 Half-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 140 A | 140 ns | 40 µA @ 600 V | 140A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TZM5249B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5249 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | SS5P6-M3/86A | 0.6200 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 690 MV @ 5 A | 150 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | GP10T-E3/54 | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1300 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Tzx18c-tr | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX18 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13 V | 18 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX384B8V2-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C150P-E3-18 | 0.1612 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C150 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 110 V | 150 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST730C12L0L | 144.2933 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A 200ac, B-PUK | ST730 | A 200ac, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST730C12L0L | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 1.2 kV | 2000 A | 3 V | 15000A, 15700A | 200 MA | 1.62 V | 990 A | 80 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||
![]() | SBLB8L40HE3/45 | - | ![]() | 2158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB8L40 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 8 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BAT46W-E3-18 | 0.3900 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | BAT46 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 250 Ma | 5 µA @ 75 V | 125 ° C (Máximo) | 150 Ma | 6pf @ 1v, 1 MHz |
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