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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
DF1502S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF1502S-E3/77 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1502 Estándar DFS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
BZG05C6V2-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C6V2-M3-08 0.3900
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG05C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05C6V2 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohmios
BZX384C20-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C20-HE3-08 0.0341
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C20 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
1N4454-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4454-TAP 0.0530
RFQ
 ECAD 6273 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4454 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 50,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma -
VS-E5TH2112S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TH2112S2LHM3 3.0200
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® G5 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.66 V @ 20 A 125 ns 50 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A -
DZ23C6V2-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C6V2-HE3_A-08 -
RFQ
 ECAD 6627 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, DZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-DZ23C6V2-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Cátodo Común 100 na @ 2 V 6.2 V 4.8 ohmios
PLZ16C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ16C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, PLZ Tape & Reel (TR) Activo ± 3% 150 ° C Montaje en superficie DO-219AC PLZ16 500 MW DO-219AC (microsmf) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.500 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 12 V 16 V 18 ohmios
BZX384B5V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V1-E3-08 0.2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B5V1 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
VS-10TQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ045Strl-M3 1.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 10TQ045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 570 MV @ 10 A 2 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 900pf @ 5V, 1 MHz
110MT80KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 110MT80KB -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Mtk 110MT80 Estándar Mtk descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 1.4 V @ 150 A 10 Ma @ 1000 V 110 A Fase triple 800 V
GBPC2510/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2510/1 -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2510 Estándar GBPC - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC3506/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC3506/1 -
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3506 Estándar GBPC - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
GBPC2506/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2506/1 -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2506 Estándar GBPC - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
2KBP02M/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2kbp02m/1 -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2KBP02 Estándar KBPM descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
2KBP01M/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2kbp01m/1 -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2KBP01 Estándar KBPM descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
2KBP04M/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2kbp04m/1 -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2KBP04 Estándar KBPM descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 400 V 2 A Fase única 400 V
GBPC606/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC606/1 -
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, GBPC-6 GBPC606 Estándar GBPC6 - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
2KBP005M/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M/1 -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2KBP005 Estándar KBPM descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
BZT52C9V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C9V1-HE3-18 0.0368
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C9V1 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
TZX9V1E-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx9v1e-tr 0.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx9v1 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 6.8 V 9.1 V 20 ohmios
GBPC2504-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2504-E4/51 5.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Caja Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
W02G/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division W02G/1 -
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wog Estándar Montar descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
GBPC6005/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC6005/1 -
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, GBPC-6 GBPC6005 Estándar GBPC6 descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V 3 A Fase única 50 V
GSIB15A80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB15A80-E3/45 2.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GSIB-5S GSIB15 Estándar GSIB-5S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 3.5 A Fase única 800 V
GSD2004W-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSD2004W-HE3-18 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 GSD2004 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 240 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 240 V 150 ° C (Máximo) 225 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
GBPC610-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC610-E4/51 2.6300
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, GBPC-6 GBPC610 Estándar GBPC6 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
GBPC608/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC608/1 -
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, GBPC-6 GBPC608 Estándar GBPC6 descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 100 1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
KBL10/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBL10/1 -
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL10 Estándar KBL - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU6JL-6131E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6JL-6131E3/51 -
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 6 a 5 µA @ 600 V 3.8 A Fase única 600 V
GSIB2020N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2020N-M3/45 1.8371
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GSIB-5S Gsib2020 Estándar GSIB-5S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 20 A Fase única 200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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