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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | VS-150SQ045 | - | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ar, axial | 150sq045 | Schottky | Do-204ar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VS150SQ045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 540 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 20etf08s | - | ![]() | 5861 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 40cpq045 | - | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 40cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 490 MV @ 20 A | 4 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYM07-300HE3_A/I | - | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BYM07 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | BYM07-300HE3_B/I | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES2A-E3/5BT | 0.1574 | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2A | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 900 MV @ 2 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2a | 18pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT03C82-TR | 0.6400 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.1% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C82 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 62 V | 82 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
BZT52B62-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B62-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 46 V | 62 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5245C-E3-18 | - | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5245 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1PD-M3/85A | 0.2393 | ![]() | 1867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | AS1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | NSB8KT-E3/45 | 0.5059 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | GI814-E3/54 | - | ![]() | 2932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GI814 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Irke91/16a | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (2) | Irke91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 10 Ma @ 1600 V | 100A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-32CTQ025Strl-M3 | 0.8966 | ![]() | 8655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 32CTQ025 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 25 V | 15A | 490 MV @ 15 A | 1.75 ma @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | V8P8HM3_A/H | 0.6800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8P8 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 660 MV @ 8 A | 700 µA @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGP02-17E-M3/54 | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1700 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1700 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLZ5V1-GS18 | 0.0335 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ5V1 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10K-4006EHE3/54 | - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | - | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-25ria60m | 17.1757 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-208AA, TO-48-3, Stud | 25ria60 | TO-208AA (TO-48) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS25RIA60M | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 130 Ma | 600 V | 40 A | 2 V | 350a, 370a | 60 Ma | 1.7 V | 25 A | 10 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||
![]() | SSB43LHM3_A/H | 0.1731 | ![]() | 2382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SSB43 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-SSB43LHM3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 4 A | 600 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx11a-TR | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx11 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8.2 V | 11 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Au2pjhm3_a/i | 0.4950 | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au2 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 42pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGL34BHE3/83 | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | RGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Rgl34bhe3_a/i | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
DZ23C47-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 35 V | 47 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS5P4HM3_A/H | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4685-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4685 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTTRRP | - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRB3045CTTRRP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 760 MV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ33C-GS18 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ33 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 29.4 V | 31.7 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
VS-VSKT162/14PBF | 84.2493 | ![]() | 5026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | VSKT162 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.4 kV | 355 A | 2.5 V | 4870a, 5100a | 150 Ma | 160 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||
![]() | Irkl26/10a | - | ![]() | 4498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 2) | Irkl26 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS24EDR16L | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS24 | - | 112-VS-VS24EDR16L | 1 |
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