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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GDZ22B-E3-18	0.0360	RFQ	5279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ22		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 17 V				22 V	100 ohmios
SML4736-E3/61	-	RFQ	4385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4736		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
GDZ5V6B-HG3-08	0.0509	RFQ	6676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ5V6		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		1 µA @ 2.5 V				5.6 V	60 ohmios
BZG05C16-E3-TR	-	RFQ	4360	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	15 ohmios
Ss26she3_a/i	-	RFQ	5943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS26	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		750 MV @ 2 A		200 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
FEPB16FT-E3/45	0.9405	RFQ	2861	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	300 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V3pm6hm3/i	0.4100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PM6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		500 MV @ 1.5 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.4a	400pf @ 4V, 1 MHz
VS-MUrB820TRL-M3	0.8500	RFQ	525	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb820	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BZT03C9V1-TR	0.2970	RFQ	2141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.04%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C9V1		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000																1.2 V @ 500 Ma		20 µA @ 6.8 V				9.1 V	4 ohmios
VX60M60C-M3/P	1.0395	RFQ	5866	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	Vx60m	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX60M60C-M3/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	30A	660 MV @ 30 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BZG05C3V9TR	-	RFQ	9541	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 V	15 ohmios
MMBZ5252C-E3-18	-	RFQ	1444	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5252		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 18 V				24 V	33 ohmios
VS-30CTH03-M3	1.5500	RFQ	363	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	30CTH03	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	300 V	15A	1.25 V @ 15 A	36 ns	40 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C
TZM5229F-GS08	-	RFQ	4449	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5229		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500																1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	2000 ohmios
USB260HM3/5BT	0.2495	RFQ	1157	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	USB260	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.6 v @ 2 a	30 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	45pf @ 4V, 1MHz
GDZ3V9B-E3-18	0.0360	RFQ	5759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ3V9		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		5 µA @ 1 V				3.9 V	100 ohmios
200CNQ035	-	RFQ	2205	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	200cnq	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*200CNQ035	EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	100A	540 MV @ 100 A		10 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-E5PX7506LHN3	4.9700	RFQ	496	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	VS-E5	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PX7506LHN3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2.2 V @ 75 A	48 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
VS-ST303C04LFK0	184.3000	RFQ	8246	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST303			TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST303C04LFK0	EAR99	8541.30.0080	3			600 mA	400 V	1180 A	3 V	6690a, 7000A	200 MA	2.16 V	620 A	50 Ma	Recuperación
AZ23B3V9-HE3_A-18	-	RFQ	6459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23B3V9-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																	3 µA @ 1 V				3.9 V	90 ohmios
BZX84B75-G3-18	0.0389	RFQ	8884	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B75		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios
VS-15MQ040NPBF	-	RFQ	9420	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	15MQ040	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		490 MV @ 2 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1.5a	134pf @ 10V, 1 MHz
Vit2060G-M3/4W	0.5925	RFQ	2476	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Vit2060	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		900 MV @ 10 A		700 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Byd33kgphe3/54	-	RFQ	7471	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD33	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.3 V @ 1 A	300 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SBLB2040CT-E3/45	-	RFQ	5577	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB2040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	40 V	10A	600 MV @ 10 A		1 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
40cpq045	-	RFQ	6241	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	40cpq	Schottky		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	490 MV @ 20 A		4 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BYM07-300HE3_A/I	-	RFQ	6921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BYM07	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	BYM07-300HE3_B/I	EAR99	8541.10.0070	9,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
1N4738A-TR	0.3700	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4738		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 V	4.5 ohmios
VS-85HF140M	20.4923	RFQ	1455	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HF140	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS85HF140M	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1400 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
BZX84C7V5-G3-18	0.0353	RFQ	2736	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C7V5		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		1 µA @ 5 V				7.5 V	15 ohmios