SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
VS-VSKL250-18PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL250-18PBF 384.8100
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Magnate VSKL250 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKL25018PBF EAR99 8541.30.0080 2 500 mA 400 V 555 A 3 V 8500A, 8900A 200 MA 250 A 1 scr, 1 diodo
VIT2060G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vit2060G-M3/4W 0.5925
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Vit2060 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 900 MV @ 10 A 700 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMSZ5257C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5257 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
1N4937GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 3875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
V35PWM15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V35pwm15-m3/i 1.3100
RFQ
ECAD 902 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 V35PWM15 Schottky Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.4 V @ 35 A 500 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C 35a 1620pf @ 4V, 1MHz
BZW03C120-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C120-TAP -
RFQ
ECAD 2072 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZW03 Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sod-64, axial BZW03 1.85 W Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 91 V 120 V 170 ohmios
VS-60APU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU02-N3 7.1100
RFQ
ECAD 770 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 60APU02 Estándar To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-60APU02-N3GI EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.08 V @ 60 A 28 ns 50 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 60A -
1N4007-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007-E3/73 0.2400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4007 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1000 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
V15K100C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K100C-M3/H 0.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 4.2a 690 MV @ 7.5 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-MURB820TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUrB820TRL-M3 0.8500
RFQ
ECAD 525 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Murb820 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
BZG05C3V9TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C3V9TR -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% - Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 15 ohmios
TZX3V6C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx3v6c-tr 0.2400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Tzx3v6 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 100 ohmios
BZX84B75-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B75-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX84-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B75 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
1N4003GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 1463 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4003 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
MBRF1650HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1650HE3/45 -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada MBRF16 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
RGP02-14E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-M3/73 -
RFQ
ECAD 9772 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP02 Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.8 V @ 100 Ma 300 ns 5 µA @ 1400 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
BYG10Y-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg10y-e3/tr3 0.4500
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg10 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.15 V @ 1.5 A 4 µs 1 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
MMBZ4691-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4691-HE3-18 -
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4691 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 5 V 6.2 V
V30D60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D60C-M3/I 2.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete V30D60 Schottky SMPD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 700 MV @ 15 A 1.2 Ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
IRKL105/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkl105/04a -
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 2) Irkl105 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 400 V 235 A 2.5 V 1785a, 1870a 150 Ma 105 A 1 scr, 1 diodo
1N5265B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5265B-TAP 0.0285
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5265 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 47 V 62 V 185 ohmios
VS-80RIA120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80RIA120PBF 44.4300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-209AC, TO-94-4, Stud 80ria120 TO-209AC (TO-94) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 200 MA 1.2 kV 125 A 2.5 V 1900a, 1990a 120 Ma 1.6 V 80 A 15 Ma Recuperación
VS-12CWQ04FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ04FNTRLHM3 1.3076
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 12CWQ04 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS12CWQ04FNTRLHM3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 6A 680 MV @ 12 A 3 Ma @ 40 V 150 ° C (Máximo)
BZD17C10P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C10P-E3-18 0.1482
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 7.5 V 10 V
VX60M60C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M60C-M3/P 1.0395
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Vx60m Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VX60M60C-M3/P EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 660 MV @ 30 A 600 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
TLZ18A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ18A-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ18 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 15.4 V 18 V 23 ohmios
VLZ22-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ22-GS18 -
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, VLZ Tape & Reel (TR) Obsoleto - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 VLZ22 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 22 V 30 ohmios
BZX384B51-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B51-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B51 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
AS4PGHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division As4pghm3_a/i 0.6386
RFQ
ECAD 7808 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AS4 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 4 a 1.8 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
EGP30FHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30FHE3/73 -
RFQ
ECAD 3909 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL EGP30 Estándar GP20 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock