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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SS2P6-M3/84A	0.4100	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 2 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1 MHz
VSKY10201406-G4-08	0.4600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	0502 (1406 Métrica)	VSKY10201406	Schottky		CLP1406-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		450 MV @ 1 A		100 µA @ 20 V	150 ° C (Máximo)	1A	240pf @ 0V, 1 MHz
V8p15-m3/i	0.2475	RFQ	2358	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8P15	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.08 v @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
AZ23B5V6-HE3-08	0.0534	RFQ	4018	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B5V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 1 V				5.6 V	40 ohmios
ES3B-M3/57T	0.2101	RFQ	6405	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ES3B	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MBRB30H60CT-E3/45	1.0072	RFQ	3995	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-MBRB30H60CT-E3/45	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
TVR06D-E3/54	-	RFQ	5542	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	TVR06	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 V @ 600 Ma		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	600mA	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-12EWH06FNTRR-M3	0.5597	RFQ	9711	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12ewh06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS12EWH06FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.5 V @ 12 A	26 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
PLZ10C-G3/H	0.3100	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ10		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V				10 V	8 ohmios
ZGL41-180-E3/97	-	RFQ	3631	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	ZGL41		1 W	GL41 (DO-213AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 136.9 V				180 V	900 ohmios
SB550-E3/51	-	RFQ	2634	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB550	Schottky		Do-201ad	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		650 MV @ 5 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Nsb8dthe3_b/p	0.6930	RFQ	4209	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
Rs1fld-m3/i	0.0512	RFQ	9725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-RS1FLD-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 1 a	500 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
MBRF7H60-E3/45	-	RFQ	9094	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF7	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
MMSZ5258B-HE3-08	0.0378	RFQ	5139	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5258		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
FEPB6BT-E3/45	-	RFQ	7113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Fepb6	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SS8P3LHM3/87A	-	RFQ	6060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss8p3	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		570 MV @ 8 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	330pf @ 4V, 1 MHz
303CNQ100	-	RFQ	8704	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	303cnq	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	300A	1.09 v @ 300 A		4.5 Ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
US1DHM3_A/H	0.1845	RFQ	9994	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-US1DHM3_A/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-5ECU06-M3/9AT	0.9000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	5ECU06	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.35 v @ 5 a	43 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BZX84C16-E3-08	0.2300	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C16		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								50 na @ 11.2 V				16 V	40 ohmios
AS3PMHM3/86A	-	RFQ	8128	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AS3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		920 MV @ 1.5 A	1.2 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
MBRB30H35CThe3_a/i	-	RFQ	6380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	620 MV @ 15 A		80 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BA157-E3/73	-	RFQ	3971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA157	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
MMSZ4687-G3-08	0.0409	RFQ	9249	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4687		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								4 µA @ 2 V				4.3 V
V2fm10hm3/h	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V2FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 2 A		55 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	150pf @ 4V, 1 MHz
Byg10khe3_a/h	0.1403	RFQ	9812	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
RS07D-GS18	0.1089	RFQ	6315	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	Rs07	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	50,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 V @ 700 Ma	150 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	9PF @ 4V, 1MHz
AZ23C4V3-E3-08	0.3100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C4V3		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 par Ánodo Común											4.3 V	95 ohmios
VS-15ETX06-N3	-	RFQ	5925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	15etx06	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS15ETX06N3	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3.2 V @ 15 A	22 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-