SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
AR4PJHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar4pjhm3/86a -
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Ar4 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 v @ 4 a 140 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 77pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3796BHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3796bhe3_b/i 0.1313
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3796 1.5 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-SMZJ3796BHE3_B/ITR EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 15.2 V 20 V 14 ohmios
VS-ST300C04C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300C04C0 83.0542
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis TO-200AB, E-PUK ST300 TO-200AB (E-PUK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 600 mA 400 V 1290 A 3 V 8000A, 8380A 200 MA 2.18 V 650 A 50 Ma Recuperación
IRKT27/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt27/04a -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) Irkt27 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 400 V 60 A 2.5 V 400a, 420a 150 Ma 27 A 2 SCRS
IRKD71/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkd71/04a -
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Add-a-pak (3) Irkd71 Estándar Add-a-pak® descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 400 V 80A 10 Ma @ 400 V
8ETX06-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06-1 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA 8etx06 Estándar Un 262-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3 V @ 8 A 24 ns 50 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
VS-2EQH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EQH02-M3/H 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA 2EQH02 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 2 a 23 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 6pf @ 200V
MMBZ5245C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5245C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5245 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
1N4937GPHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPHM3/54 -
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
B140-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-E3/61T 0.4000
RFQ
ECAD 163 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B140 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
BYV95-1-EBT1111TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv95-1-eBt1111tap -
RFQ
ECAD 4086 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * Cinta y Caja (TB) Activo BYV95 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000
TZMC4V3-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC4V3-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Tzmc4v3 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
VS-8EWS10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS10S-M3 0.4950
RFQ
ECAD 1072 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 8ews10 Estándar D-Pak (TO-252AA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 8 a 50 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
ESH2CHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2CHE3/5BT -
RFQ
ECAD 1234 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ESH2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 930 MV @ 2 A 35 ns 2 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a -
GDZ10B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ10B-HG3-18 0.0523
RFQ
ECAD 1223 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ10 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 7 V 10 V 30 ohmios
SML4748A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4748A-E3/5A 0.1815
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4748 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
IRKH72/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkh72/06a -
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 2) Irkh72 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 250 Ma 600 V 165 A 2.5 V 1665a, 1740a 150 Ma 75 A 1 scr, 1 diodo
VB20100S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-E3/4W 1.5900
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB20100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 20 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
V60D60CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60D60CHM3/I 2.3300
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete V60D60 Schottky TO-263AC (SMPD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 640 MV @ 30 A 5 Ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
SMBZ5926B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5926B-M3/5B 0.1906
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBZ5926 550 MW DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 5.5 ohmios
VS-ST180S20P0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180S20P0 173.8275
RFQ
ECAD 9395 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-209AB, TO-93-4, Stud ST180 TO-209AB (TO-93) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 600 mA 2 kV 314 A 3 V 5000A, 5230A 150 Ma 1.75 V 200 A 30 Ma Recuperación
IRKT91/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt91/06a -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) Irkt91 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 600 V 210 A 2.5 V 1785a, 1870a 150 Ma 95 A 1 scr, 1 diodo
BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg10yhe3_a/i 0.4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg10 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.15 V @ 1.5 A 4 µs 1 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
MBRF1045HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1045HE3/45 -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada MBRF104 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MBRF1045HE3_A/P EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
ES1PC-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1PC-M3/84A 0.4400
RFQ
ECAD 727 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA ES1 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 920 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
VS-12TQ035STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ035STRR-M3 0.6734
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 12TQ035 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 560 MV @ 15 A 1.75 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 155 ° C 15A 900pf @ 5V, 1 MHz
VS-183NQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-183NQ100PBF 27.4585
RFQ
ECAD 6166 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Half-Pak 183NQ100 Schottky D-67 Half-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 910 MV @ 180 A 4.5 Ma @ 100 V 180A 4150pf @ 5V, 1MHz
VS-50RIA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50ria20 15.6500
RFQ
ECAD 93 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AC, TO-65-3, comienza 50ria20 TO-208AC (TO-65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 200 MA 200 V 80 A 2.5 V 1430a, 1490a 100 mA 1.6 V 50 A 15 Ma Recuperación
VS-VSKU26/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKU26/16 37.6690
RFQ
ECAD 2284 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKU26 Cátodo Común: Todos SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKU2616 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6 kV 60 A 2.5 V 400a, 420a 150 Ma 27 A 2 SCRS
VSKT500-14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKT500-14 -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Super Magn-A-Pak VSKT500 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 1.4 kV 785 A 3 V 17800A, 18700A 200 MA 500 A 2 SCRS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock