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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBRB1535CT	-	RFQ	9832	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SS2H10-M3/5BT	0.1498	RFQ	9357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS2H10	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		790 MV @ 2 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
SE20FG-M3/I	0.0891	RFQ	6356	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SE20	Estándar			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.1 v @ 2 a	920 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.7a	13PF @ 4V, 1MHz
V6WL45C-M3/I	-	RFQ	8771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V6WL45	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	3A	520 MV @ 3 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MBR1645/45	-	RFQ	2248	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR16	Schottky			Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									45 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
S4PGHM3_A/H	0.5400	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	S4P	Estándar			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									400 V		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	30pf @ 4V, 1 MHz
Irkh56/06a	-	RFQ	6489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkh56			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	600 V	135 A	2.5 V	1310a, 1370a	150 Ma	60 A										1 scr, 1 diodo
VS-80-6660	-	RFQ	1325	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-6660					-				112-VS-80-6660			1
SS12P3LHM3/86A	-	RFQ	9426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P3	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									30 V		560 MV @ 12 A		1 ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	930pf @ 4V, 1MHz
SBLB1640CThe3/45	-	RFQ	7478	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1640	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	40 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
RGL34BHE3/98	-	RFQ	1383	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	RGL34	Estándar			DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	RGL34BHE3_A/H	EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VLZ13C-GS18	-	RFQ	7918	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ13		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000												1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 12.3 V					13.33 V	14 ohmios
MMSZ4694-HE3-18	0.0378	RFQ	6753	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4694		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000														1 µA @ 6.2 V					8.2 V
1N4001-E3/73	0.2400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4001	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									50 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-80-7530	-	RFQ	6376	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7530					-				112-VS-80-7530			1
P600J-E3/54	0.9200	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	P600	Estándar			P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									600 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
VSSAF510-M3/H	0.3900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF510	Schottky			DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		750 MV @ 5 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	440pf @ 4V, 1MHz
SB040-E3/53	-	RFQ	2050	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	SB040	Schottky			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									40 V		550 MV @ 600 Ma		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	600mA	-
VX30202C-M3/P	1.2920	RFQ	6166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX30202C-M3/P	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	200 V	15A	840 MV @ 15 A		100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SS26-M3/52T	0.1467	RFQ	4144	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS26	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									60 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBR2090CT-1	-	RFQ	2084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR20	Schottky			Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*MBR2090CT-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	90 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4148WS-G3-18	0.2800	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	1N4148	Estándar			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad									75 V		1.2 V @ 100 Ma	4 ns	100 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
V30120C-E3/4W	1.8800	RFQ	990	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30120	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	120 V	15A	970 MV @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
V20PW45C-M3/I	1.1000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PW45	Schottky			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	10A	600 MV @ 10 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Uh1bhe3_a/h	0.1254	RFQ	6673	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	UH1	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.05 v @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
MBR2060CT-E3/4W	-	RFQ	7071	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR20	Schottky			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	60 V	10A	800 MV @ 10 A		150 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
GL34JHE3/98	0.5100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar			DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.3 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
1N5235C-TR	0.0288	RFQ	9403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5235		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000												1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V					6.8 V	5 ohmios
GDZ3V9B-E3-18	0.0360	RFQ	5759	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ3V9		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000														5 µA @ 1 V					3.9 V	100 ohmios
VS-E5TH3012-N3	-	RFQ	5056	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	E5TH3012	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									1200 V		2.3 V @ 30 A	113 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-