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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Nsb8gthe3_b/i | 0.6930 | ![]() | 7989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZG03B47TR | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohmios | ||||||||||||
![]() | AR1PMHM3/85A | 0.2030 | ![]() | 8613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-40HFR160M | 15.8598 | ![]() | 5372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HFR160 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS40HFR160M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.5 V @ 125 A | -65 ° C ~ 160 ° C | 40A | - | ||||||||||
![]() | EGP20G-E3/54 | 0.9100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | EGP20DHE3/54 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VSSA310S-E3/5at | 0.4700 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SA310 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 3 A | 150 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1.7a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-6CWQ10FNTR-M3 | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 6CWQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 3.5a | 810 MV @ 3 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VSS8D2M10HM3/I | 0.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S8d2 | Schottky | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 560 MV @ 1 A | 150 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | V20pl63-m3/i | 0.8800 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V20PL63 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 640 MV @ 20 A | 600 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | 3400pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | V3nm153hm3/i | 0.4200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte de superficie, Flanco Humectable | 2-vdfn | V3NM153 | Schottky | DFN3820A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 970 MV @ 3 A | 35 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 160pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-1N3766R | 11.7500 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3766 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.8 V @ 110 A | 4 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | ||||||||||
![]() | VS-MUrB1020CTLHM3 | 0.9293 | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Murb1020 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 5A | 990 MV @ 5 A | 24 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | FESF8GT-E3/45 | 0.6320 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | FESF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | BZX384C12-G3-08 | 0.2900 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C12 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRB20H50CThe3/45 | - | ![]() | 7049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 10A | 710 MV @ 10 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-SD1053C22S20L | 144.6200 | ![]() | 3039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | Do-200ab, B-PUK | SD1053 | Estándar | Do-200ab, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2200 V | 1.9 V @ 1500 A | 2 µs | 50 mA @ 2200 V | 1050A | - | ||||||||||
![]() | TZMC3V9-M-18 | 0.0324 | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC3V9 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||
SB330-E3/54 | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB330 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | VS-70HF40M | 17.0803 | ![]() | 1992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 70HF40 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS70HF40M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | ||||||||||
![]() | TZS4687-GS08 | 0.0411 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZS4687 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 100 Ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 V | ||||||||||||
![]() | V20pwm153hm3/i | 0.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.12 v @ 20 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 20A | 820pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VT2080S-M3/4W | 0.6042 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT2080 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VT2080SM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 920 MV @ 20 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||
![]() | BAS170WS-E3-08 | 0.4000 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAS170 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 10 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SS10PH9HM3_A/H | 0.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS10PH9 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 880 MV @ 10 A | 10 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 270pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-SD1100C04C | 68.6800 | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-200AA, A-PUK | SD1100 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.31 V @ 1500 A | 35 Ma @ 400 V | 1400A | - | |||||||||||
BZX584C3V9-VG-08 | - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c-vg | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | Au3pmhm3/87a | - | ![]() | 1453 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 2.5 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 42pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VX60170PW-M3/P | 3.2623 | ![]() | 9645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | VX60170PW | Schottky | Un 247ad | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VX60170PW-M3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 200 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | TLZ20A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 1100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ20 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 na @ 17.1 V | 20 V | 28 ohmios |
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