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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S1BA-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1Ba-E3/61T -
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
BZX84B6V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B6V2-HE3-08 0.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B6V2 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
FEPB16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fepb16dthe3_a/p 1.1550
RFQ
 ECAD 5197 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FEPB16 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 8A 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SML4741-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4741-E3/5A 0.1733
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4741 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 8.4 V 11 V 8 ohmios
SMBZ5934B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5934B-E3/52 0.1676
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBZ5934 3 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C12ET07T-M3 -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 C12ET07 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 751-VS-C12ET07T-M3 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 12 A 65 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 515pf @ 1v, 1 MHz
VS-2EYH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EYH02HM3/H 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads 2eyh02 Estándar Slimsmaw (DO-221AD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 2 A 28 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 200V
PTV20B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV20B-E3/84A -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO220AA PTV20 600 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 15 V 21.2 V 14 ohmios
EDF1BS-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EDF1BS-E3/77 1.2300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EDF1 Estándar DFS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.05 v @ 1 a 5 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
PTV33B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV33B-M3/84A 0.4200
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo ± 6% 150 ° C Montaje en superficie DO220AA PTV33 600 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 25 V 35 V 18 ohmios
ESH2PC-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PC-M3/85A 0.1493
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA ESH2 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 980 MV @ 2 A 25 ns 1 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1 MHz
PTV30B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV30B-M3/84A 0.1223
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo ± 6% 150 ° C Montaje en superficie DO220AA PTV30 600 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 23 V 32 V 18 ohmios
TLZ3V6A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V6A-GS18 0.0335
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ3V6 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 60 ohmios
VS-VSKT230-08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT230-08PBF 176.4550
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Magnate VSKT230 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKT23008PBF EAR99 8541.30.0080 2 500 mA 800 V 510 A 3 V 7500a, 7850a 200 MA 230 A 2 SCRS
TZMB3V9-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB3V9-GS08 0.3100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Tzmb3v9 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
BZT52C24-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C24-E3-18 0.2700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C24 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 V 24 V 28 ohmios
VSSAF522HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF522HM3/H 0.6800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Schottky DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 5 A 50 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C 2A 240pf @ 4V, 1MHz
RGP10DE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-E3/54 0.1754
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15EWX06FNTR-M3 1.3100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 15EWX06 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.2 V @ 15 A 22 ns 200 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
VS-3C16ETOTT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C16ETOTT-M3 -
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 112-VS-3C16ETOTT-M3 EAR99 8541.10.0080 1
VB60100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB60100CHM3/I -
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB60100 Schottky Un 263ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 30A 790 MV @ 30 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-10CSH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CSH01HM3/86A 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN 10CSH01 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 980 MV @ 5 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA04TB60SL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04TB60SL-M3 0.3635
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HFA04 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.2 v @ 8 a 42 ns 3 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A -
UH2B-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/5BT -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB UH2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.05 v @ 2 a 35 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 42pf @ 4V, 1 MHz
V20120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120SG-M3/4W 0.5986
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 V20120 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-E5TX3006S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TX3006S2LHM3 2.7300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® G5 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 V @ 30 A 41 ns 20 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
MBRB16H45HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H45HE3/81 -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB16 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 660 MV @ 16 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
VS-61CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-61CTQ045-M3 1.5025
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 61CTQ045 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 760 MV @ 60 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
MMBZ4622-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4622-G3-18 -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4622 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2 V 3.9 V 1650 ohmios
VS-VSKJ91/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ91/16 40.3850
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis Add-a-pak (3) VSKJ91 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKJ9116 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1600 V 50A 10 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
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    2000+

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  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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