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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-ETL1506FP-M3	1.5200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	ETL1506	Estándar			To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSETL1506FPM3	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.07 v @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-15ETX06FP-N3	1.6600	RFQ	4997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	15etx06	Estándar			To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-15ETX06FP-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		3.2 V @ 15 A	22 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-GB100YG120NT	-	RFQ	1943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	GB100		625 W	Estándar	ECONO3 4 PACA	-					EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo																					Escrutinio	1200 V	127 A	4V @ 15V, 100A			80 µA	Si
SS3P6L-E3/87A	-	RFQ	6376	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS3P6	Schottky			TO77A (SMPC)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		600 MV @ 3 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-ST180S20P0PBF	121.4775	RFQ	6305	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AB, TO-93-4, Stud	ST180				TO-209AB (TO-93)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST180S20P0PBF	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	2 kV	314 A	3 V	4200A, 4400A	150 Ma	1.75 V	200 A	30 Ma	Recuperación
AZ23C20-HE3-08	0.0436	RFQ	5079	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C20		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 15 V												20 V	50 ohmios
MBRF16H45-E3/45	-	RFQ	5789	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF16	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		660 MV @ 16 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-ST1200C20K1P	456.5050	RFQ	2673	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A 200ac, K-PUK, A-24	ST1200				A-24 (K-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST1200C20K1P	EAR99	8541.30.0080	2			600 mA	2 kV	3080 A	3 V	25700A, 26900A	200 MA	1.73 V	1650 A	100 mA	Recuperación
SML4748-E3/61	0.1892	RFQ	3330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4748		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		5 µA @ 16.7 V												22 V	23 ohmios
DFL1510S-E3/45	0.7900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1510	Estándar			DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		1.5 A						Fase única	1 kV
BZX384B7V5-E3-18	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B7V5		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		1 µA @ 1 V												7.5 V	15 ohmios
GI858-E3/54	-	RFQ	3088	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GI858	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.25 v @ 3 a	200 ns	10 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
FGP30che3/54	-	RFQ	6290	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FGP30	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		950 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
VS-SD500N45MSC	-	RFQ	7893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo					SD500					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD500N45MSC	EAR99	8541.10.0080	6
V10P12-M3/87A	0.3795	RFQ	9537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P12	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		820 MV @ 10 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
TZM5222F-GS08	-	RFQ	1492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5222		500 MW		Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500																1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V												2.5 V	1250 ohmios
VS-20L15TSTRL-M3	1.6400	RFQ	487	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20L15	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												15 V		410 MV @ 19 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	2000pf @ 5V, 1MHz
BZD27C160P-E3-18	0.1612	RFQ	6313	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C160		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 120 V												160 V	350 ohmios
VS-30CPQ100-N3	3.0600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ100	Schottky			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-30CPQ100-N3GI	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	30A	1.05 V @ 30 A		550 µA @ 100 V
BZG03B110TR	-	RFQ	3807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 W		DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 82 V												110 V	250 ohmios
VS-40EPF06PBF	-	RFQ	8408	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	40epf06	Estándar			To47ac modificado	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.25 V @ 40 A	180 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
BZT52C9V1-E3-08	0.2700	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C9V1		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		100 na @ 7 V												9.1 V	4.8 ohmios
VS-10CTQ150S-M3	1.4400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ctq150	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	5A	930 MV @ 5 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBRB30H50CThe3/45	-	RFQ	4647	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky			Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZX884B12L-HG3-08	0.3600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX884L	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	0402 (1006 Métrica)			300 MW		DFN1006-2A	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V												12 V	25 ohmios
VS-UFB200FA20P	-	RFQ	7043	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB200	Estándar			Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSUFB200FA20P	EAR99	8541.10.0080	180		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											2 Independientes	200 V	120a	1.1 V @ 120 A	34 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRB2545CT-M3	0.8798	RFQ	6766	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB2545	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
TZMC62-M-18	0.0324	RFQ	6887	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC62		500 MW		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V												62 V	150 ohmios
AZ23B30-HE3_A-08	-	RFQ	9113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW		Sot-23-3	descascar				112-AZ23B30-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																	50 na @ 21 V												30 V	80 ohmios
CS3M-E3/I	-	RFQ	5448	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	CS3	Estándar			DO-214AB (SMC)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.15 v @ 3 a	2.8 µs	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz