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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
VS-2KBB20	1.6800	RFQ	537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, 2KBB	2KBB20	Estándar				2KBB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500													1.1 V @ 1.9 A				1.9 A							Fase única	200 V
V15PN50-M3/86A	0.9600	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15PN50	Schottky				TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		560 MV @ 15 A		3 Ma @ 50 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	-
GI250-3-E3/54	0.2086	RFQ	6929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GI250	Estándar				DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									3000 V		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 3000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
BZG05B100-M3-08	0.1980	RFQ	5652	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B100		1.25 W			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000													1.2 v @ 200 ma		500 na @ 75 V													100 V	350 ohmios
V20KL45-M3/H	0.8700	RFQ	8744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky				Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									45 V		600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.4a	3400pf @ 4V, 1MHz
1N4002GPHM3/54	-	RFQ	1178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar				DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
TZQ5229B-GS18	0.0303	RFQ	2080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5229		500 MW			Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V													4.3 V	22 ohmios
VS-GT100DA120UF	41.5000	RFQ	1995	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GT100		890 W		Estándar	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Soltero																			Zanja	1200 V	187 A	2.55V @ 15V, 100A			100 µA	No			6.15 NF @ 25 V
S5J-M3/9AT	0.1549	RFQ	5862	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S5J	Estándar				DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.15 v @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
GP10M-E3/73	-	RFQ	1934	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar				DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1000 V		1.2 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
GP10-4002-E3S/73	-	RFQ	3314	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar				DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									100 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-VSKU41/04	41.0770	RFQ	3684	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKU41			Cátodo Común: Todos SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKU4104	EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	400 V	70 A	2.5 V	850a, 890a	150 Ma	45 A										2 SCRS
BZT03D43-TAP	-	RFQ	8243	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6.98%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W			Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000													1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 33 V													43 V	45 ohmios
RMPG06J-E3/54	0.3700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar				Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
MBRB15H60CT-E3/81	-	RFQ	1945	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky				To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	60 V	7.5a	730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
ESH1B-E3/61T	0.4100	RFQ	152	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ESH1	Estándar				DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									100 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SS2P5-M3/85A	0.1130	RFQ	5378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS2P5	Schottky				DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									50 V		700 MV @ 2 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1 MHz
MBR30H35CThe3/45	-	RFQ	6322	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	35 V	15A	820 MV @ 15 A		5 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
EGL34CHE3/98	-	RFQ	8734	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar				DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									150 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-6TQ035Strl-M3	0.5613	RFQ	9889	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	6TQ035	Schottky				To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									35 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
MBRB15H35CT-E3/81	-	RFQ	8075	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky				To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MBRB30H45CThe3_B/I	1.2045	RFQ	7869	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky				Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		80 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
TZQ5254B-GS08	0.0303	RFQ	5693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5254		500 MW			Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 19 V													27 V	41 ohmios
BZM55B5V1-TR	0.3200	RFQ	6201	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B5V1		500 MW			Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V													5.1 V	60 ohmios
BZT52C24-E3-18	0.2700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C24		410 MW			SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															100 na @ 18 V													24 V	28 ohmios
V30150C-E3/4W	1.8800	RFQ	7567	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30150	Schottky				Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)								1 par Cátodo Común	150 V	15A	1.36 v @ 15 a		200 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
M100M-E3/54	-	RFQ	4641	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	M100	Estándar				DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									1000 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZX55C8V2-TAP	0.2300	RFQ	31	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C8V2		500 MW			DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 6.2 V													8.2 V	7 ohmios
1N4248GPHE3/73	-	RFQ	4622	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4248	Estándar				DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)									800 V		1.2 v @ 1 a		1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 160 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
ES1CHE3/61T	-	RFQ	8974	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar				DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)									150 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz